Superwydajne, nowe tranzystory IGBT od ST

Firma STMicroelectronics zaprezentowała nową rodzinę krzemowych tranzystorów IGBT: IH, klasy STPOWER, w skład której mają wchodzić takie komponenty jak: STGWA40IH65DF oraz STGWA50IH65DF, operujące na napięciach do 650 V. Cechować je ma poprawiona przewodność i wydajność przełączania, w aplikacjach o przełączaniu miękkim („soft-switching”), takich jak np. kuchenki indukcyjne. Jak podaje producent, nowe komponenty mają posiadać zwiększoną efektywność energetyczną przekształtników rezonansowych, operujących w zakresie od 16 do 60 kHz. Nowa seria IH ma stanowić rozszerzenie obecnej oferty producenta, stanowiąc uzupełnienie dla serii HB i HB2 (stworzonych z myślą o aplikacjach solarnych spawalniczych, itp.). Nowa seria ma się lepiej odnaleźć w aplikacjach o precyzyjnych sterowaniu, będąc lepiej dostosowaną do obwodów półmostkowych (h-bridge), dla aplikacji o miękkim przełączaniu. Dzięki tym komponentom, twórcy aplikacji będą mogli uzyskiwać lepsze wyniki energetyczne, jak zapewnia producent. Przeznaczone są do pracy z prądami o natężeniu 40 i 50 A odpowiednio, mogąc obsługiwać moce do 4 kW. Na ich wysoką wydajność wpływają między innymi niskie wartości napięcia nasycenia VCE (1.5 V) oraz bardzo niski spadek napięcia na wbudowanej diodzie. Poziom strat nie powinien przekroczyć 0.19 mJ przy pracy z prądem o natężeniu 40 A, jak podaje ST. Dodatkową ich zaletą ma być bardzo mała rezystancja termiczna oraz zastosowanie dodatniego współczynnika temperaturowego, w celu zwiększenia niezawodności. Oferowane są obecnie w obudowie TO-247. Producent zapowiedział, że w niedługim czasie pojawią się też wersje wspierające prądy o natężeniu do 20 i 30 A, w obudowach TO-247 oraz TO-220.