512 GB kości pamięciowe z UFS v. 3.0

Firma Toshiba Memory Europe rozpoczęła sprzedaż pierwsze (jako próbki - samples) ze swoich nowych kości pamięciowych UFS („Universal Flash Storage) w wersji 3.0, o pojemności 128 GB. Wykorzystano do ich stworzenia technologię BiCS Flash 3D z 96-warstwami. Producent oferować ma ostatecznie trzy wersje pojemnościowe: 128, 256, a także 512 GB. Cechować je ma świetna wydajność w zakresie prędkości odczytu i zapisu danych, co połączono z bardzo niskim zużyciem energii. Dzięki temu mogą się dobrze odnaleźć w urządzeniach mobilnych, smartfonach, tabletach, systemach VR/AR, itp. UFS wspierać ma pełen duplex, pozwalając na jednoczesny zapis i odczyt danych, pomiędzy procesorem hostujących, a pamięcią. Jednak wprowadzenie UFS 3.0 to także inne korzyści w zakresie mikroelektroniki, zgodnie z opracowaniem JEDEC, które mają przynieść poprawę dla urządzeń mobilnych. Komponenty Toshiby posiadają nie tylko samą 96-warstwową strukturę pamięciową BiCS Flash 3D, ale także wbudowany kontroler zgodny ze standardem JEDEC. Kontroler ten posiadać ma funkcje korekcji błędów, monitorowania zużycia i jego poziomowanie, funkcje tłumaczące adresację logiczną do fizycznej, zarządzanie uszkodzonymi blokami, itp. Wszystko to ma pomóc w sprawniejszym opracowywaniu gotowych aplikacji. Teoretycznie, wbudowany interfejs ma umożliwiać komunikację z prędkością 11.6 Gbps na linię (dla dwóch wspieranych linii wartość ta się podwoi). Efektywność odczytu i zapisu sekwencyjnego została poprawiona o 70 i 80 procent odpowiednio, w porównaniu do poprzedniej generacji podobnych kości pamięciowych (o maksymalnej pojemności 256 GB).