Firma Alliance Memory rozszerzyło swoją ofertę o nowe superszybkie monolityczne kości pamięciowe SDRAM (CMOS) o pojemności 512 Mb, w konfiguracji 64M x 8, które oznaczone zostały symbolem AS4C64M8SC-7TIN. W ofercie pojawiły się też kości w konfiguracji 32M x 16 (tej samej pojemności). Te ostatnie oznaczone zostały symbolem AS4C32M16SC-7TIN. Ostatnią nowością w tej linii produktowej jeśli chodzi o pojemność mają być komponenty oznaczone jako AS4C16M32SC-7TIN, w konfiguracji 16M x 32. Dwa pierwsze oferowane mają być w obudowie 400-mil z 54-wyprowadzeniami, ostatni zaś dostępny ma być w obudowie TSOP II o 86-wyprowadzeniach. Wykorzystano tutaj interfejs LVTTL, umożliwiając pracę przy jednostronnym napięciu 3.3 V. Dzięki temu konstrukcja aplikacji może zostać uproszczona. Sprzyjać to ma także zmniejszeniu zużycia energii przez aplikację końcową. Częstotliwość pracy wynosić ma 133 MHz, zaś temperatura pracy zawierać się ma w przedziale od -40 do 85 stopni Celsjusza. Są w pełni synchroniczne z rosnącym zboczem sygnału zegarowego. Producent zapewnia, że kości te mają między innymi dzięki temu cechować się dużo większą efektywnością i szybkością pracy, niż typowe pamięci DRAM, w typowych aplikacjach, takich jak sprzęt medyczny, przemysłowy, motoryzacyjny, POS, itp. Odnajdą się też wszędzie tam, gdzie ważna jest duża przepustowość. Wspierać mają różne typy odczytu danych, także burst, obsługując długości od ‘full-page’ do 1, poprzez 2, 4, 8.