reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 06 wrze艣nia 2018

Nowoczesne MOSFETy z podwójnym ch艂odzeniem

Nowe tranzystory cechuj膮 si臋 nie tylko wartymi uwagi parametrami elektrycznymi, ale przede wszystkim 艣wietn膮 wydajno艣ci膮 termiczn膮. Jest to min. zas艂uga nowoczesnej obudowy z dwoma powierzchniami do odprowadzania ciep艂a.
Firma Toshiba Electronics Europe zaprezentowa艂a dwa nowe tranzystory MOSFET z kana艂em typu N, mog膮ce pracowa膰 z napi臋ciem do 40 V. Przeznaczone s膮 na rynek g艂贸wnie motoryzacyjny, jak r贸wnie偶 przemys艂owy. Oznaczone zosta艂y symbolami TPWR7940PB oraz TPW1R104PB.

Zbudowane zosta艂y w oparciu o zaawansowane obudowy DSOP (WF), kt贸re daj膮 mo偶liwo艣膰 podpi臋cia systemu ch艂odzenia z obu stron. Obudowa w kt贸rej zamkni臋to tranzystory ma wymiar 5 na 6 mm, w obu przypadkach. R贸偶nica tkwi w powierzchni odprowadzaj膮cej ciep艂o na g贸rnej powierzchni.

Pierwszy z uk艂ad贸w cechuje si臋 rezystancj膮 0.79 m惟 (wi臋ksza powierzchnia), drugi za艣 1.14 m惟. Impedancja termiczna wynosi膰 ma odpowiednio 0.93 K/W i 1.5 K/W. Do ich stworzenia wykorzystano najnowsze technologie zwi膮zane ze struktur膮 鈥瀟rench”, jak np. proces U-MOSIX-H. Posiadaj膮 kwalifikacj臋 AEC-Q101.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
January 17 2019 14:20 V11.11.0-2