Nowoczesne MOSFETy z podwójnym chłodzeniem

Firma Toshiba Electronics Europe zaprezentowała dwa nowe tranzystory MOSFET z kanałem typu N, mogące pracować z napięciem do 40 V. Przeznaczone są na rynek głównie motoryzacyjny, jak również przemysłowy. Oznaczone zostały symbolami TPWR7940PB oraz TPW1R104PB. Zbudowane zostały w oparciu o zaawansowane obudowy DSOP (WF), które dają możliwość podpięcia systemu chłodzenia z obu stron. Obudowa w której zamknięto tranzystory ma wymiar 5 na 6 mm, w obu przypadkach. Różnica tkwi w powierzchni odprowadzającej ciepło na górnej powierzchni. Pierwszy z układów cechuje się rezystancją 0.79 mΩ (większa powierzchnia), drugi zaś 1.14 mΩ. Impedancja termiczna wynosić ma odpowiednio 0.93 K/W i 1.5 K/W. Do ich stworzenia wykorzystano najnowsze technologie związane ze strukturą „trench”, jak np. proces U-MOSIX-H. Posiadają kwalifikację AEC-Q101.