reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 30 listopada 2017

Matryca tranzystorów w IC o wi臋kszej wydajno艣ci

Wi臋cej opcji i funkcjonalno艣ci w nowej serii matryc tranzystor贸w oferowanych przez Toshib臋. Nowa generacja zyska艂a tak偶e niema艂o na wydajno艣ci, nawet 40%.
Firma Toshiba Electronics Europe rozszerza swoj膮 ofert臋 produktow膮 o od艣wie偶on膮 lini臋 matryc tranzystor贸w w postaci pojedynczego scalaka. Mowa tu o nowej generacji uk艂ad贸w z wyj艣ciem DMOS FET.

Zastosowanie tej technologii pozwoli艂o zwi臋kszy膰 wydajno艣膰 tych zestaw贸w tranzystor贸w. Seria TBD62xxxA oferowa膰 ma mo偶liwo艣膰 pracy z napi臋ciem do 50 V i pr膮dem o nat臋偶eniu do 0.5 A.

Jednocze艣nie producent rozszerza ofert臋 produktow膮 o komponenty, kt贸re pracuj膮 w innym stanie. Do tej pory wi臋kszo艣膰 tego typu uk艂ad贸w oferowa艂a stan aktywny na wyj艣ciu, gdy sygna艂 wej艣ciowy by艂 w stanie wysokim. Toshiba oferuje teraz komponenty typu 鈥濴-active”, czyli wyj艣cie b臋dzie aktywne, gdy sygna艂 wej艣ciowy b臋dzie w stanie niskim.

Seria dzi臋ki temu staje si臋 bardziej elastyczna i mo偶e znale藕膰 swoje miejsce w szerszej gamie aplikacji; od sterownik贸w silnik贸w czy LED, po uk艂ady zmiany poziom贸w dla linii i system贸w komunikacyjnych.

W por贸wnaniu do starszej serii i generacji, nowe komponenty maj膮 by膰 zu偶ywa膰 o 40% mniej energii. Dost臋pne maj膮 by膰 te偶 w r贸偶nych obudowach: DIP, SOL, SSOP.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
December 05 2018 15:01 V11.10.4-2