reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 12 pa藕dziernika 2017

Wzmacniacz MMIC GaN-HEMT dla satelit

Nowy uk艂ad wzmacniacza oparty zosta艂 na tranzystorach GaN-HEMT, kt贸re sprz臋gni臋to z efektywnie pracuj膮cym lineryzatorem. Dzi臋ki temu gotowa aplikacja ma dzia艂a膰 wydajniej, a przy tym by膰 mniejsza.
Firma Mitsubishi Electric opracowa艂a swoje nowe uk艂ady pracuj膮ce jako wzmacniacze monolityczne na pasma mikrofalowe (MMIC - 鈥瀖onolithic microwave integrated circuit amplifier鈥), przeznaczone do pracy na satelitach i w innych urz膮dzeniach o podobnych, wysokich wymaganiach. Komponenty oznaczone zosta艂y symbolem MGFG5H3001. Komponenty te oparte s膮 na specjalnych tranzystorach o wysokiej mobilno艣ci elektron贸w (HEMT - 鈥 high-electron mobility transistor鈥), opartymi na azotku galu (GaN). Przeznaczone s膮 do pracy na pasmach Ka, czyli od 26 do 40 GHz. Moc z jak膮 pracowa膰 mog膮 te elementy si臋ga膰 ma 8 W. Ca艂o艣膰 sk艂ada si臋 z odpowiedniego uk艂adu wspomnianych tranzystor贸w, wspieranych przez dodatkowe elementy, takie jak np. lineryzator, maj膮cy zredukowa膰 zak艂贸cenia. Wszystko to ma zapewni膰 sprawniejsz膮 prac臋 gotowej aplikacji, przy jednoczesnym zmniejszeniu ich gabaryt贸w, dzi臋ki integracji lineryzatora w strukturze tego wzmacniacza MMIC. Wzmocnienie liniowe wynosi膰 ma 15 dB. Pracowa膰 ma z napi臋ciem 24 V.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 15 2019 09:57 V12.1.1-1