reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Pixabay Technologie | 28 czerwca 2017

Superszybkie ReRAM niczym DRAM

4DS stworzyło nową technologię kości pamięciowych ReRAM, pokonując ograniczenia, jakie w klasycznej odsłonie stawiała ta technologia. Są znacznie szybsze i gęstsze, dzięki czemu konkurować mogą z DRAM i NAND.
4DS Memory Limited ogłosiło, że udało im się dokonać kilku zmian w architekturze swoich kości pamięciowych ReRAM (Resistive RAM), dzięki którym udało się znacząco podnieść szybkość odczytu. Nowa generacja pamięci ReRAM cechuje się szybkością porównywalną z tą, jaką posiadają pamięci DRAM. Tym samym, firmie 4DS udało się pokonać kilka niedogodności, jakie niesie ze sobą technologia ReRAM, a także inne jej podobne. Chodzi między innymi o wysoki poziom błędów. Aby temu zapobiec stosuje się różne techniki i metody korekcji błędów, dzięki którym unikamy problemów z gubieniem danych. Jednakże funkcje te często negatywnie wpływają na czas dostępu do danych, zmniejszając prędkość odczytu danych. Nowe pamięci Interface Switching ReRAM wolne są od tej wady, dzięki czemu udało się uzyskać krótki czas dostępu i dużą prędkość. Niski poziom fluktuacji natężenia prądu, który w tradycyjnych pamięciach ReRAM jest dość wysoki i jest powodem powstania tych błędów, zaowocował, że nie są potrzebne tutaj wyrafinowane i czasochłonne metody korekcji błędów. Jednocześnie możliwe jest stosowanie gęstszego układu komórek pamięciowych, co wpływa na pojemność gotowych kości pamięciowych. Firmie udało się ze skalowalnością zejść do poziomu 40 nm (z poziomu 800 nm). Co z kolei znacznie poprawiło wytrzymałość, jak zapewnia producent. Mają to być tym samym najmniejsze pamięci nieulotne, wykorzystując technologię 3D Flash. Mniejszy rozmiar komórek to nie tylko efekt uboczny. Pozwoliło to zredukować zużycie prądu, a tym samym dodatkowo zmniejszyć fluktuacje, co także wpływa na jakość pracy pamięci. Zmniejszają się też dzięki temu ścieżki prowadzące. To wszystko pozwala na stworzenie jeszcze gęstszych pamięci. Problemem pamięci są też opóźnienia, które po części wynikają też ze skalowalności klasycznych pamięci ReRAM. Należałoby więc nieco podnieść wartość prądu, lecz to podczas analiz okazało się nie wystarczające. Opóźniania wynikają bowiem nie tylko z samych funkcji korekcji błędów (gdyż wymaga to czasu, by niezawodnie wykryć stan komórek pamięciowych), ale też samej technologii pamięci ReRAM. Problemem jest też nieregularność regionu, co powoduje spore zmiany przepływającego prądu. Technologia Interface Switching ReRAM redukuje te nieregularności w przełączanym regionie, minimalizując fluktuacje prądowe. Przyspiesza się też działanie pamięci, dzięki zrezygnowaniu z klasycznych połączeń i ścieżek. To powoduje, że funkcje ECC (korekcji błędów) mogą działać sprawniej i generować mniejsze opóźnienia. Jeśli chodzi o opłacalność nowej technologii i generacji ReRAM, producentowi udało się osiągnąć poziom, który może konkurować zarówno z DRAM, jak również NAND Flash. 4DS umieściło by swoje nowe pamięci, gdzieś pomiędzy tymi dwoma, jeśli chodzi o opłacalność, w porównaniu do pojemności jak również szybkości odczytu. Technologie takie jak Interface Switching ReRAM sprawiają, że pamięci te mogą już wkrótce wyprzeć tradycyjnie stosowane pamięci NAND, jako głównego rodzaju pamięci używanego w elektronice. Sandisk już jakiś czas przewidział to, zapewniając że ReRAM zastąpi NAND w niedługim czasie, osiągając lepsze parametry. Jednak jak mówi Guido Arnout z 4DS, pamięci te z pewnością nie wyprą całkowicie pamięci NAND ze wszystkich zastosowań. Jednak, podobnie jak w przypadku wielu innych technologii, z pewnością pojawią się miejsca, gdzie zastosowanie ReRAM stanie się bardziej opłacalne i korzystniejsze, niż NAND czy nawet DRAM. Nową technologię można podsumować następująco, w kwestii jej zalet:
  • praca bez włókien,
  • wysoka skalowalność i duża gęstość (owocująca możliwość tworzenia bardzo pojemnych pamięci),
  • większa (niż w tradycyjnych pamięciach) wytrzymałość i niezawodność,
  • krótszy czas dostępu i większa prędkość przy odczytywaniu danych,
  • prostszy proces produkcyjny, co wpłynie na atrakcyjność cenową i większą opłacalność.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
March 21 2019 15:37 V12.5.12-1