reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 06 czerwca 2017

Kolejny rekord miniaturyzacji – tranzystory 5 nm

Naukowcom z IBM przy współpracy z GlobalFoundaries i Samsungiem udało się osiągnąć rekordowe małe tranzystory. Dzięki nowej technologii sporo zyskamy na wydajności, a jeszcze więcej na mniejszym zużyciu energii.
Kilka lat temu naukowcy z IBM rozpoczęli pracę nad miniaturyzacją. Efektem przeprowadzonych badań był 2 lata temu opracowany tranzystor wykonany w technologii 7 nm. Był to rekord, do którego przez jakiś czas w zastosowaniach komercyjnych nie udało się zbliżyć. Jednak jak się okazuje, 7 nm to nie jest granica krzemu.

Naukowcy IBM, wspólnie z GlobalFoundaries i Samsungiem, w ramach sojuszu na Politechnice SUNY (Research Alliance at the SUNY Polytechnic Institute Colleges of Nanoscale Science and Engineering’s NanoTech Complex in Albany) opracowali układ, wykonany w technologii litografii 5 nm. Oficjalna prezentacja ma nastąpić podczas Symposia on VLSI Technology and Circuits w Kioto. Jednakże już teraz znane są niektóre szczegóły tej technologii.

Technologia ta została opracowana zupełnie od nowa i nie wykorzystuje się tutaj FinFET (jak to miało miejsce przy okazji układu 7 nm). Zamiast tego, naukowcy wykorzystali nanoarkusze krzemowe („silicon nanosheets”). Zastosowano tutaj też niezwykłą technologię Extreme UV (EUV), opracowaną przez GlobalFoundaries.

Mniejszy rozmiar tranzystorów oznacza możliwość gęstszego ich upakowania, na tej samej powierzchni. Szacuje się, że na powierzchni zbliżonej do paznokcia będzie można umieścić nawet 30 mld tranzystorów. Układy zyskają także na wydajności – nawet 40%. Jeszcze lepiej wygląda sprawa zużycia energii. Jak podają naukowcy, oszczędności sięgnąć mogą nawet 75% w stosunku do starszych technologii (a konkretnie w odniesieniu do 10 nm FinFET). W praktyce ma to oznaczać nawet 3-krotną dłuższą pracę urządzeń zasilanych z akumulatorów (np. smartfonów).
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 11 2018 12:47 V11.8.0-1