reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 11 kwietnia 2017

MOSFETy 100 V sterowane poziomem logicznym

Nowe malutkie tranzystory MOSFET od Infineon Technologies cechuje nie tylko wysoka wydajno艣膰 wynikaj膮ca ze znacznej redukcji strat, ale s膮 to te偶 komponenty kt贸re mog膮 pracowa膰 z cz臋stotliwo艣ciami dochodz膮cymi nawet do 6.78 MHz.
Firma Infineon Technologies zaprezentowa艂a now膮 rodzin臋 swoich tranzystor贸w MOSFET IR. Rodzina podzielona zosta艂a ze wzgl臋du na klas臋 napi臋ciow膮: 60, 80 i 100 V. Jak zapewnia producent, wszystkie komponenty tej rodziny cechuj膮 si臋 r贸wnie dobrymi parametrami. W艣r贸d tych parametr贸w wyr贸偶ni膰 mo偶na obni偶enie Rds(ON) od 11 do 40% w por贸wnaniu ze zbli偶onymi produktami konkurencji. Uda艂o si臋 te偶 obni偶y膰 艂adunek bramki Qg. Dzi臋ki temu obni偶ono straty przy prze艂膮czaniu, bez wywo艂ania efektu zwi臋kszenia strat przy przewodzeniu. Dodatkowo poprawiono te偶 takie parametry tranzystor贸w, jak 艂adunek Qrr oraz pojemno艣膰 wyj艣ciow膮 Coss. Wszystko to sprawia, 偶e s膮 to tranzystory nie tylko wydajniejsze, ale mog膮 tak偶e pracowa膰 z wysokimi cz臋stotliwo艣ciami. Bez problemu radz膮 sobie z cz臋stotliwo艣ci膮 prze艂膮czania dochodz膮c膮 do 6.78 MHz. Wszystko to sprawi艂o, 偶e s膮 to komponenty wygodne w sterowaniu. Mog膮 by膰 sterowane napi臋ciem 5 V, co oznacza, 偶e mog膮 by膰 bez wi臋kszego problemu sterowane bezpo艣rednio z mikrokontroler贸w, jak podaje producent. Ca艂o艣膰 jest te偶 niewielka. Komponenty uda艂o si臋 zamkn膮膰 w niewielkich obudowach PQFN o wymiarach 2 na 2 mm.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 20 2019 12:04 V12.2.3-2