reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 10 listopada 2016

Ulepszone, interesujące motoryzacyjne MOSFET-y na duże prądy

Nowe cienkie tranzystory od STMicroelectronics zawierają w sobie nowoczesne technologie, dzięki którym są nie tylko wydajne, ale pozwolą wyeliminować sterowniki, zredukują EMI, poziom szumów, czy też zwiększą niezawodność.

Firma STMicroelectronics przedstawiła swoje nowe tranzystory MOSFET oznaczone jako StripFET, wykorzystujące technologię 7 generacji o tej samej nazwie (F7). Ma ona zapewniać zwiększoną wydajność podczas przełączania i zwiększyć wydajność, poprzez redukcję rezystancji diody zwrotnej oraz czasu trr. Jednocześnie, bardziej miękkie charakterystyki mają przyczynić się do redukcji EMI. Co z kolei wpłynie na inne elementy układu. Wykorzystano tu również jeszcze jedną nowatorską technologię producenta: DeepGATE. Dzięki niej udało się zmniejszyć rezystancję Rds(ON), a także ładunek bramki (Qg), potrzebny do jej załączenia. Zastosowane techniki chronią jednocześnie też bramkę, przed samoistnym lub błędnym załączeniem się, zwiększając efektywność i niezawodność pracy komponentu, a także gotowej aplikacji. Co więcej, technologia ta jest na tyle skuteczna, że eliminuje konieczność stosowania specjalnego sterownika, co wpłynie nie tylko na rozmiar gotowej aplikacji, ale też jej koszt i poziom skomplikowania. Przedstawicielami nowej serii mają być komponenty oznaczone symbolami STL140N4F7AG i STL190N4F7AG. Pracować mogą z napięciem do 40 V. Oba tranzystory posiadać mają kwalifikację AEC-Q101 i dostępne mają być w obudowie PowerFLAT, której wymiary do 5 na 6 mm i tylko 0.8 mm wysokości. Dzięki temu mogą być wykorzystywane także w aplikacjach przenośnych, noszonych i wszędzie tam, gdzie zależy nam na ilości miejsca, a także możliwie najcieńszej obudowie urządzenia. Nie straszna im praca w sekcjach zasilania, czy też przy sterowaniu silnikami, jak zapewnia producent.
Załaduj więcej newsów
September 20 2019 17:48 V14.4.1-2