Ulepszone, interesujące motoryzacyjne MOSFET-y na duże prądy

Firma STMicroelectronics przedstawiła swoje nowe tranzystory MOSFET oznaczone jako StripFET, wykorzystujące technologię 7 generacji o tej samej nazwie (F7). Ma ona zapewniać zwiększoną wydajność podczas przełączania i zwiększyć wydajność, poprzez redukcję rezystancji diody zwrotnej oraz czasu trr. Jednocześnie, bardziej miękkie charakterystyki mają przyczynić się do redukcji EMI. Co z kolei wpłynie na inne elementy układu. Wykorzystano tu również jeszcze jedną nowatorską technologię producenta: DeepGATE. Dzięki niej udało się zmniejszyć rezystancję Rds(ON), a także ładunek bramki (Qg), potrzebny do jej załączenia. Zastosowane techniki chronią jednocześnie też bramkę, przed samoistnym lub błędnym załączeniem się, zwiększając efektywność i niezawodność pracy komponentu, a także gotowej aplikacji. Co więcej, technologia ta jest na tyle skuteczna, że eliminuje konieczność stosowania specjalnego sterownika, co wpłynie nie tylko na rozmiar gotowej aplikacji, ale też jej koszt i poziom skomplikowania. Przedstawicielami nowej serii mają być komponenty oznaczone symbolami STL140N4F7AG i STL190N4F7AG. Pracować mogą z napięciem do 40 V. Oba tranzystory posiadać mają kwalifikację AEC-Q101 i dostępne mają być w obudowie PowerFLAT, której wymiary do 5 na 6 mm i tylko 0.8 mm wysokości. Dzięki temu mogą być wykorzystywane także w aplikacjach przenośnych, noszonych i wszędzie tam, gdzie zależy nam na ilości miejsca, a także możliwie najcieńszej obudowie urządzenia. Nie straszna im praca w sekcjach zasilania, czy też przy sterowaniu silnikami, jak zapewnia producent.