reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© alexander podshivalov dreamstime.com Technologie | 02 listopada 2016

ReRAM jako alternatywa dla Flash

ReRAM wydaje się być ciekawą technologią, której udało się przezwyciężyć ograniczenia, jakie stawiać ma Flash. Nowe pamięci będą nie tylko wydajniejsze, ale o wiele bardziej pojemne.

ReRAM (czy też RRAM) to nowoczesne pamięci rezystancyjne („Resistive random-access memory”), będące rodzajem nieulotnych pamięci komputerowych, które działają na zasadzie zmiany rezystancji dielektryka w poszczególnych komórkach pamięciowych. Występują one też pod nazwą memrystorów. Są zbliżone do takich pamięci jak CBRAM („conductive-bridging RAM”) lub PCM („phase-change memory”). Technologia ReRAM jest nadal rozwijana przez kilka różnych firm i producentów, niezależnie od siebie. W związku z tą technologią pojawiło się już też kilka patentów. Mówi się, że pamięci te mogą stanowić atrakcyjną alternatywę dla technologii Flash, znosząc limity, z jakimi borykać się mają pamięci Flash. Początki istnienia tej technologii sięgać mają 2008 roku, kiedy to po raz pierwszy HP pokazało memrystory. Od tego czasu prowadzono badania nad różnymi materiałami, które mogłyby stanowić jak najlepsze materiały na dielektryki. Najpopularniejszymi są: tlenek krzemu oraz tlenek hafnu. Nowe pamięci mogą być szybsze, bardziej wytrzymałe, a przy tym też tańsze. Ma być też prostsze niż PCM, mimo wykorzystywania podobnej zasady działania (zmiana rezystancji). Ilość cykli zapisu sięgać ma co najmniej 100 tysięcy. Lecz wydajność i cena to nie jedyne zalety nowej technologii. Szacuje się, że dzięki trójwymiarowemu upakowaniu pamięci, możliwe będzie stworzenie pojedynczych kości pamięciowych o pojemności sięgających 1 TB (B – bajta, nie bita). Można też do tego podejść inaczej. Aby zmieścić podobną pojemność będzie można użyć o wiele mniejszych komponentów, co dla elektroniki przenośnej, gdzie rozmiar ma znaczenie, będzie nieocenione. Lecz dostępność samych struktur ReRAM to nie wszystko. Potrzebne są odpowiednie mechanizmy i interfejsy, pozwalające na sprawną komunikację z poszczególnymi komórkami i zapisanymi tam danymi. Nad tym pracuje 4DS Memory. Firma ta opracowuje swój własny interfejs („Interfejs Switching ReRAM”), pozwalający na sprawną komunikację z poszczególnymi komórkami pamięciowymi. Warto wspomnieć, że technologia ReRAM pozwolić ma na wykorzystywanie niższych wartości napięć i prądów. Inżynierowie 4DS również idą tą drogą, dlatego też opracowywany przez nich interfejs również ma cechować się ma możliwością pracy przy minimalnym natężeniu prądu. 4DS opracowało energooszczędną metodę zmiany rezystancji pojedynczych komórek wykorzystując proces dyfuzji tlenu. Proces ten ma pozwolić ma wydajną i niezawodną kontrolę nad pokaźną ilością komórek pamięciowych, których ilość pozwala na stworzenie niewielkich pamięci o pojemności rzędu kilku GB. Technologia ta ma być nie tylko wydajna i niezawodna, ale też pozwolić ma na wydłużenie czasu pracy pamięci, zwiększając jej żywotność, a tym samym funkcjonalność. Nie potrzebuje ona też włókien, co pozwala budować jeszcze bardziej kompaktowe konstrukcje. Możliwe jest też sprawne rozwinięcie tej technologii, dla trójwymiarowych pamięci ReRAM, o czym wspomnieliśmy nieco wcześniej. Pozwoli to na szybkie wdrożenie jeszcze pojemniejszych pamięci. Metoda 4DS Memory wykorzystywać ma materiał PCMO (perowskity). Jest to jeden z kilku producentów pracujących nad nową technologią pamięciową, która wydaje się być bardzo obiecująca. Możliwe więc, że w 2020 roku (bo na ten rok się szacuje wdrożenie nowej technologii i wprowadzenie tych pamięci na rynek) będziemy mogli się cieszyć z jeszcze pojemniejszych pamięci wbudowanych w naszych smartfonach i nie tylko. Być może, że niedługo doczekamy się przełomowych dysków twardych. Prędkością porównywalną z SSD (lub szybszymi), ale o pojemnościach większych niż tradycyjne HDD.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
May 21 2019 21:58 V13.3.9-1