reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© alexander podshivalov dreamstime.com Technologie | 02 listopada 2016

ReRAM jako alternatywa dla Flash

ReRAM wydaje si臋 by膰 ciekaw膮 technologi膮, kt贸rej uda艂o si臋 przezwyci臋偶y膰 ograniczenia, jakie stawia膰 ma Flash. Nowe pami臋ci b臋d膮 nie tylko wydajniejsze, ale o wiele bardziej pojemne.
ReRAM (czy te偶 RRAM) to nowoczesne pami臋ci rezystancyjne (鈥濺esistive random-access memory鈥), b臋d膮ce rodzajem nieulotnych pami臋ci komputerowych, kt贸re dzia艂aj膮 na zasadzie zmiany rezystancji dielektryka w poszczeg贸lnych kom贸rkach pami臋ciowych. Wyst臋puj膮 one te偶 pod nazw膮 memrystor贸w. S膮 zbli偶one do takich pami臋ci jak CBRAM (鈥瀋onductive-bridging RAM鈥) lub PCM (鈥瀙hase-change memory鈥). Technologia ReRAM jest nadal rozwijana przez kilka r贸偶nych firm i producent贸w, niezale偶nie od siebie. W zwi膮zku z t膮 technologi膮 pojawi艂o si臋 ju偶 te偶 kilka patent贸w. M贸wi si臋, 偶e pami臋ci te mog膮 stanowi膰 atrakcyjn膮 alternatyw臋 dla technologii Flash, znosz膮c limity, z jakimi boryka膰 si臋 maj膮 pami臋ci Flash. Pocz膮tki istnienia tej technologii si臋ga膰 maj膮 2008 roku, kiedy to po raz pierwszy HP pokaza艂o memrystory. Od tego czasu prowadzono badania nad r贸偶nymi materia艂ami, kt贸re mog艂yby stanowi膰 jak najlepsze materia艂y na dielektryki. Najpopularniejszymi s膮: tlenek krzemu oraz tlenek hafnu. Nowe pami臋ci mog膮 by膰 szybsze, bardziej wytrzyma艂e, a przy tym te偶 ta艅sze. Ma by膰 te偶 prostsze ni偶 PCM, mimo wykorzystywania podobnej zasady dzia艂ania (zmiana rezystancji). Ilo艣膰 cykli zapisu si臋ga膰 ma co najmniej 100 tysi臋cy. Lecz wydajno艣膰 i cena to nie jedyne zalety nowej technologii. Szacuje si臋, 偶e dzi臋ki tr贸jwymiarowemu upakowaniu pami臋ci, mo偶liwe b臋dzie stworzenie pojedynczych ko艣ci pami臋ciowych o pojemno艣ci si臋gaj膮cych 1 TB (B 鈥 bajta, nie bita). Mo偶na te偶 do tego podej艣膰 inaczej. Aby zmie艣ci膰 podobn膮 pojemno艣膰 b臋dzie mo偶na u偶y膰 o wiele mniejszych komponent贸w, co dla elektroniki przeno艣nej, gdzie rozmiar ma znaczenie, b臋dzie nieocenione. Lecz dost臋pno艣膰 samych struktur ReRAM to nie wszystko. Potrzebne s膮 odpowiednie mechanizmy i interfejsy, pozwalaj膮ce na sprawn膮 komunikacj臋 z poszczeg贸lnymi kom贸rkami i zapisanymi tam danymi. Nad tym pracuje 4DS Memory. Firma ta opracowuje sw贸j w艂asny interfejs (鈥濱nterfejs Switching ReRAM鈥), pozwalaj膮cy na sprawn膮 komunikacj臋 z poszczeg贸lnymi kom贸rkami pami臋ciowymi. Warto wspomnie膰, 偶e technologia ReRAM pozwoli膰 ma na wykorzystywanie ni偶szych warto艣ci napi臋膰 i pr膮d贸w. In偶ynierowie 4DS r贸wnie偶 id膮 t膮 drog膮, dlatego te偶 opracowywany przez nich interfejs r贸wnie偶 ma cechowa膰 si臋 ma mo偶liwo艣ci膮 pracy przy minimalnym nat臋偶eniu pr膮du. 4DS opracowa艂o energooszcz臋dn膮 metod臋 zmiany rezystancji pojedynczych kom贸rek wykorzystuj膮c proces dyfuzji tlenu. Proces ten ma pozwoli膰 ma wydajn膮 i niezawodn膮 kontrol臋 nad poka藕n膮 ilo艣ci膮 kom贸rek pami臋ciowych, kt贸rych ilo艣膰 pozwala na stworzenie niewielkich pami臋ci o pojemno艣ci rz臋du kilku GB. Technologia ta ma by膰 nie tylko wydajna i niezawodna, ale te偶 pozwoli膰 ma na wyd艂u偶enie czasu pracy pami臋ci, zwi臋kszaj膮c jej 偶ywotno艣膰, a tym samym funkcjonalno艣膰. Nie potrzebuje ona te偶 w艂贸kien, co pozwala budowa膰 jeszcze bardziej kompaktowe konstrukcje. Mo偶liwe jest te偶 sprawne rozwini臋cie tej technologii, dla tr贸jwymiarowych pami臋ci ReRAM, o czym wspomnieli艣my nieco wcze艣niej. Pozwoli to na szybkie wdro偶enie jeszcze pojemniejszych pami臋ci. Metoda 4DS Memory wykorzystywa膰 ma materia艂 PCMO (perowskity). Jest to jeden z kilku producent贸w pracuj膮cych nad now膮 technologi膮 pami臋ciow膮, kt贸ra wydaje si臋 by膰 bardzo obiecuj膮ca. Mo偶liwe wi臋c, 偶e w 2020 roku (bo na ten rok si臋 szacuje wdro偶enie nowej technologii i wprowadzenie tych pami臋ci na rynek) b臋dziemy mogli si臋 cieszy膰 z jeszcze pojemniejszych pami臋ci wbudowanych w naszych smartfonach i nie tylko. By膰 mo偶e, 偶e nied艂ugo doczekamy si臋 prze艂omowych dysk贸w twardych. Pr臋dko艣ci膮 por贸wnywaln膮 z SSD (lub szybszymi), ale o pojemno艣ciach wi臋kszych ni偶 tradycyjne HDD.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 20 2019 12:04 V12.2.3-2