reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 29 wrze艣nia 2016

Bardzo wydajne MOSFETy o bardzo niskiej rezystancji Rds(ON)

Nowe wysoce wydajne tranzystory MOSFET od IXYS cechuje wysoka wydajno艣膰 (do 110 A), przy zapewnieniu bardzo niskiej warto艣ci Rds(ON), a tak偶e 艣wietnych warto艣ci dv/dt i niskiego 艂adunku bramki.
Firma IXYS wprowadzi艂a na rynek nowe tranzystory mocy MOSFET Ultra-Junction X-Class. Maj膮 to by膰 tranzystory cechuj膮ce si臋 najni偶sz膮 rezystancj膮 Rds(ON), w艣r贸d komponent贸w w swojej klasie. Warto艣膰 tej rezystancji ma wynosi膰 od 33 do 41 m惟, w zale偶no艣ci od wariantu tranzystora (zastosowanej obudowy). Lecz to nie jedyne zalety tych komponent贸w. Warto te偶 wspomnie膰 o bardzo niskich 艂adunkach bramek, a tak偶e 艣wietnej wydajno艣ci dv/dt, jak zapewnia producent. Mo偶liwo艣ci radzenia sobie z lawinami powinny zwi臋kszy膰 wytrzyma艂o艣膰 komponent贸w, a tym samym niezawodno艣膰 aplikacji. Wbudowana szybka dioda zwrotna pomaga膰 ma w zmniejszeniu strat i EMI. Komponenty te mog膮 pracowa膰 z napi臋ciem do 850 V i z pr膮dami dochodz膮cymi do 110 A. Maj膮 znale藕膰 zastosowanie w aplikacjach o wysokiej wydajno艣ci, jak np. systemy sterowania i zasilania silnikami DC i AC, konwertery DC/DC, 艂adowarki samochodowe, falowniki/inwertery przy 藕r贸d艂ach energii odnawialnej, itp. Komponenty te (w r贸偶nych wariantach ze wzgl臋du na obs艂ugiwane pr膮dy, od 20 do 110 A) mo偶na b臋dzie znale藕膰 w obudowach: TO-220, TO-263HV, SOT-227, TO-247, TO-264, PLUS264 oraz TO-268HV.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
March 15 2019 12:31 V12.5.5-1