reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© john valenti dreamstime.com Technologie | 16 wrze艣nia 2016

Nowa generacja mikrokontrolerów 28 nm

Renesas Electronics i TSMC og艂osi艂y, 偶e trwaj膮 wsp贸lne prace nad produkcj膮 mikrokontroler贸w w technologii 28nm dla autonomicznych i przyjaznych 艣rodowisku pojazd贸w nowej generacji.
Opracowywana technologia 28nm pozwoli na wytworzenie nowych pami臋ci eFlash do produkcji mikrokontroler贸w. Na rok 2017 planowana jest pierwsza prototypowa seria nowych mikrokontroler贸w, a start masowej produkcji przewiduje si臋 na rok 2020.

Obie firmy wsp贸艂pracuj膮 ze sob膮 ju偶 od czas贸w powstania technologii 90nm. Po czterech latach wsp贸lnych prac nad produkcj膮 pami臋ci eFlash w technologii 40nm, firmy rozszerzy艂y swoj膮 wsp贸艂prac臋 w celu rozwoju technologii 28nm. Po艂膮czenie wydajnych i szybkich pami臋ci eFlash firmy Renesas, wytworzonych w technologii MONOS, z wysoce wydajnym i oszcz臋dnym 28nm procesem technologicznym firmy TSMC, wykorzystuj膮cym metalow膮 bramk臋 o wysokiej sta艂ej dielektrycznej, pozwoli艂o obu firmom na stanie si臋 艣wiatowym liderem w produkcji mikrokontroler贸w dla przemys艂u samochodowego. Nowe uk艂ady znalaz艂y szerokie zastosowanie, mi臋dzy innymi do kontroli czujnik贸w autonomicznych pojazd贸w, do koordynacji jednostek steruj膮cych (ECUs), do kontroli zu偶ycia paliwa oraz w wysoko wydajnych przetwornikach mocy do pojazd贸w elektrycznych.

Mikrokontrolery nowej generacji mog膮 zaspokoi膰 wymagania wysokiej wydajno艣ci i poprawi膰 bezpiecze艅stwo w przysz艂ych autonomicznych pojazdach. Jest to mo偶liwe dzi臋ki radarom 3D, kt贸re bardzo precyzyjnie monitoruj膮 otoczenie woko艂o pojazdu, jak r贸wnie偶 kontrolerom, kt贸re steruj膮 czujnikami oraz mo偶liwo艣ciami integracji danych w czasie rzeczywistym, dla potrzeb proces贸w samodzielnej interpretacji. Jednostki steruj膮ce (ECUs) zdolne do bezpiecznego kontrolowania autonomicznej jazdy wymagaj膮 mikrokontroler贸w nowej generacji, kt贸re przyczyni膮 si臋 do szybkiego przetwarzania wielu zada艅 (w艂膮czaj膮c mo偶liwo艣膰 wykrywania b艂臋d贸w w operacjach steruj膮cych, bezpiecze艅stwo i wsparcie w koordynacji wielu jednostek steruj膮cych), podniesienia wydajno艣ci ca艂ego systemu oraz bezpiecze艅stwa jego dzia艂ania.

呕eby zaspokoi膰 coraz bardziej restrykcyjne przepisy dotycz膮ce emisji spalin, konieczna jest du偶a wydajno艣膰 obliczeniowa aby energooszcz臋dne silniki w nowej generacji pojazdach ekologicznych mog艂y realizowa膰 nowe programy spalania, a tak偶e pewna i du偶a pojemno艣膰 wbudowanych pami臋ci, mog膮cych pomie艣ci膰 coraz wi臋ksze oprogramowanie. Ponadto rosn膮ca potrzeba wi臋kszej ochrony 艣rodowiska i zwi臋kszenia zasi臋gu pojazd贸w elektrycznych oraz hybrydowych, przyczyni艂a si臋 do powstania mikrokontroler贸w o wi臋kszej wydajno艣ci i wi臋kszej mo偶liwo艣ci integracji.

Dzi臋ki zaanga偶owaniu obu firm w rozw贸j technologii 28nm, mo偶liwe jest opracowanie mikrokontroler贸w, kt贸re spe艂ni膮 wymagania nast臋pnych generacji system贸w samochodowych, dostarczaj膮c ponad czterokrotnie wi臋ksz膮 ilo艣膰 pami臋ci dla oprogramowania oraz wi臋cej ni偶 czterokrotny wzrost wydajno艣ci, w por贸wnaniu do obecnej technologii 40nm. Inne ulepszenia w nowych kontrolerach obejmuj膮 wi臋ksz膮 ilo艣膰 rdzeni w procesorze, bardziej zaawansowane zabezpieczenia oraz lepsze wsparcie dla r贸偶nych interfejs贸w.
Wbudowana technologa pami臋ci flash Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (MONOS) firmy Renesas.

MONOS jest struktur膮, w kt贸rej ka偶dy tranzystor w kom贸rce pami臋ci flash sk艂ada si臋 z trzech warstw: tlenku, azotku i tlenku, po艂o偶onych na krzemie z metalow膮 bramk膮 steruj膮c膮 na g贸rze. Firma Renesas posiada ponad dwudziestoletnie do艣wiadczenie w zakresie wytwarzania pami臋ci flash w technologii MONOS, dostarczaj膮c mikrokontrolery do powszechnie u偶ywanych kart chipowych (IC). Firma Renesas w oparciu o swoje do艣wiadczenie opracowa艂a nowy rodzaj struktury Split-Gate (SG), kt贸ra mo偶e by膰 stosowana do wewn臋trznej pami臋ci flash mikrokontroler贸w. Nowy typ pami臋ci flash "SG-MONOS” umo偶liwia powstanie mikrokontroler贸w o wysokiej wydajno艣ci, pr臋dko艣ci i niskim zu偶yciu energii.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
January 17 2019 14:20 V11.11.0-1