reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 07 wrze┼Ťnia 2016

Nowy tranzystor GaN-HEMT du┼╝ej mocy dla wydajnych transceiverów

Nowy tranzystor od Mitsubishi Electric to wi─Öksza moc i sprawno┼Ť─ç, oddawana ze stosunkowo niewielkiego komponentu. Mo┼╝na b─Ödzie przy tym upro┼Ťci─ç system ch┼éodzenia, zmniejszaj─ůc BOM aplikacji.
Firma Mitsubishi Electric opracowa┼éa nowy tranzystor o wysokiej mobilno┼Ťci elektron├│w, opartym na azotku galu: GaN-HEMT (od ang. ÔÇ×Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor”).

Nowy komponent zaprojektowano z my┼Ťl─ů o zastosowaniu go w nowoczesnych stacjach nadawczych (transceiver├│w) 4G, kt├│re pracowa─ç maj─ů z cz─Östotliwo┼Ťciami 2.6 GHz. Cechowa─ç ma go wysoka wydajno┼Ť─ç.

Dostarczy─ç mo┼╝e mocy si─Ögaj─ůcej 220 W. Warto przy tym wspomnie─ç, ┼╝e jego wymiary to oko┼éo 10 na 10 mm. Jest to mo┼╝liwe dzi─Öki osi─ůgni─Öciu wysokiej sprawno┼Ťci (drenu), si─Ögaj─ůcej nawet 74%.

Wi─Öksza sprawno┼Ť─ç, to tak┼╝e mniejsze zapotrzebowanie na ch┼éodzenie, co oznacza ┼╝e mo┼╝liwe b─Ödzie zbudowanie mniejszych, a przy tym te┼╝ prostszych i ta┼äszych system├│w ch┼éodzenia. To z kolei pozwoli obni┼╝y─ç koszty budowy gotowej aplikacji.

Pierwsze pr├│bki nowego tranzystora b─Öd─ů dost─Öpne dopiero w listopadzie tego roku (2016).
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
January 17 2019 14:20 V11.11.0-2