Supermocne moduły SiC MOSFET

Firma CISSOID przedstawiła swoje najnowsze inteligentne moduły mocy, cechujące się wydajnością nawet 100 A przy napięciu 1200 V. Moduł ten to przede wszystkim odpowiednio dobrany zestaw tranzystorów, pozwalający osiągnąć tak wysoką wydajność. Wykorzystano tu tranzystory MOSFET wykonane w technologii SiC. W porównaniu do innych modułów, ten komponent cechuje się dużo wyższą mocą w stosunku do wymiarów, niż inne tego typu elementy. Zaprojektowano go do pracy w sieciach 3-fazowych. Stworzono go z myślą o pracy w aplikacjach lotniczych, do pracy w falownikach, itp. Z powodzeniem może też pracować w aplikacjach kolejowych, HEV, itd. Każdy z sześciu kluczy zbudowano z zespołu tranzystora MOSFET o wydajności 100 A i diody Schottky’iego oferujący podobne parametry. Jako, że napięcie blokowania wynosi aż 1200 V, są to też moduły bezpieczne, w zastosowaniach lotniczych, gdzie napięcie zwykle nie przekracza 540 VDC. Co więcej, komponenty te zaprojektowano w taki sposób, że możliwe będzie ich proste usprawnienie, co pozwoli na pracę z napięciem do 1700 V i prądem do 150 A. Typowa rezystancja (Rds(ON)) wynosić ma 12.5 lub 8.5 mΩ, zależnie od prądu pracy (odpowiednio dla wersji 100 i 150 A). Materiały z których wykonano komponenty zostały tak dobrane, by zapewnić niezawodną pracę nawet w trudnych warunkach. Tranzystorom tym nie straszne temperatury do 150 stopni Celsjusza (do 200 stopni na złączu). Przykładowe materiały zastosowane do produkcji modułów to: AlSiC (podstawa), AlN, srebro. Wszystko po to by osiągnąć jak najlepsze rezultaty w kwestii wytrzymałości i gospodarki cieplnej. Producent ten dołożył również starań do układu sterownika bramek. Udało się znacznie zminimalizować wpływ indukcyjności pasożytniczych. Pozwala to na zredukowanie strat i szybsze przełączanie się kluczy.