Wysoce wydajne tranzystory GaN do stacji komunikacyjnych

Firma M/A-Com Technology Solutions zaprezentowała swoje nowe tranzystory mocy GaN, oznaczone jako seria MAGb. Są to komponenty zaprojektowane z myślą o stacjach komunikacji bezprzewodowej. Mają zastąpić popularne w tym zakresie tranzystory LDMOS, stosowane w urządzeniach pracujących z częstotliwościami od 1.8 do 3.8 GHz. Czwarta generacja technologii GaN tego producenta pozwala na osiąganie wysokiej wydajności. Tranzystory te mają być też pierwszymi takimi komercyjnymi komponentami, które zoptymalizowano pod kątem wspomnianych wyżej zastosowań. W porównaniu do LDMOS mają cechować się zbliżoną liniowością oraz ceną. Pojedyncze tranzystory są w stanie pracować z mocą do 400 W, zaś podwójne (w układzie Doherty) do 700 W. Ogólna wydajność w porównaniu LDMOS ma być wyższa o około 10%, przy jednoczesnym zmniejszeniu wymiarów o 15%. Przykładowym komponentem tej serii (i pierwszym) jest tranzystor oznaczony symbolem MAGB-101822-120B0S. Pracować ma w zakresie od 1.7 do 2.2 GHz, dostarczając mocy szczytowej do 160 W. Zamknięto go w ceramicznej obudowie AC-400 i cechuje się sprawnością 74%. Wzmocnienie wynosić ma 19 dB.