reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 04 marca 2016

Wysoce wydajne tranzystory GaN do stacji komunikacyjnych

Nowe wydajne tranzystory GaN od M/A-Com do stacji komunikacji bezprzewodowej, maj膮 zast膮pi膰 dotychczas stosowane komponenty. Obs艂ugiwa膰 mog膮 moce do 700 W, b臋d膮c zamkni臋tymi w mniejszej obudowie.
Firma M/A-Com Technology Solutions zaprezentowa艂a swoje nowe tranzystory mocy GaN, oznaczone jako seria MAGb. S膮 to komponenty zaprojektowane z my艣l膮 o stacjach komunikacji bezprzewodowej. Maj膮 zast膮pi膰 popularne w tym zakresie tranzystory LDMOS, stosowane w urz膮dzeniach pracuj膮cych z cz臋stotliwo艣ciami od 1.8 do 3.8 GHz.

Czwarta generacja technologii GaN tego producenta pozwala na osi膮ganie wysokiej wydajno艣ci. Tranzystory te maj膮 by膰 te偶 pierwszymi takimi komercyjnymi komponentami, kt贸re zoptymalizowano pod k膮tem wspomnianych wy偶ej zastosowa艅.

W por贸wnaniu do LDMOS maj膮 cechowa膰 si臋 zbli偶on膮 liniowo艣ci膮 oraz cen膮. Pojedyncze tranzystory s膮 w stanie pracowa膰 z moc膮 do 400 W, za艣 podw贸jne (w uk艂adzie Doherty) do 700 W. Og贸lna wydajno艣膰 w por贸wnaniu LDMOS ma by膰 wy偶sza o oko艂o 10%, przy jednoczesnym zmniejszeniu wymiar贸w o 15%.

Przyk艂adowym komponentem tej serii (i pierwszym) jest tranzystor oznaczony symbolem MAGB-101822-120B0S. Pracowa膰 ma w zakresie od 1.7 do 2.2 GHz, dostarczaj膮c mocy szczytowej do 160 W. Zamkni臋to go w ceramicznej obudowie AC-400 i cechuje si臋 sprawno艣ci膮 74%. Wzmocnienie wynosi膰 ma 19 dB.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
December 12 2018 18:25 V11.10.11-2