reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 01 pa藕dziernika 2015

Super wydajne tranzystory GaN 650 V, 100 A

Nowe tranzystory wykonane w technologii GaN i Island cechuj膮 si臋 wysok膮 efektywno艣膰i膮. W stosunku do MOSFET'贸w i IGBT maj膮 by膰 wielokrotnie od nich mocniejsze i wydajniejsze.
GaN Systems z Kanady przedstawi艂o nowe tranzystory oznaczone jako GS66540C. S膮 to komponenty wysokiej mocy pokazane na 17 Konferencji EnergoElektroniki (17th Conference of Power Electronics and Application).

Tranzystory te wykonano w technologii GaN i nowo opracowanej technologii Island. Pozwoli艂o to na osi膮ganie niezwyk艂ej wydajno艣ci i efektywno艣ci przy szybkim prze艂膮czaniu (>100 V/ns) i ultra niskim poziomie strat cieplnych.

Komponenty te pracowa膰 mog膮 z napi臋ciem do 650 V i pr膮dem do 100 A. Ca艂o艣膰 umieszczono w specjalnych obudowanych, kt贸re by艂yby w stanie sprosta膰 pracy z takimi pr膮dami. Mowa tu o obudowie oznaczonej jako GaNPX. Ca艂o艣膰 pomy艣lano tak, by nie tylko radzi艂o sobie z problemami gospodarki cieplnej, ale te偶 minimalizowa艂o indukcj臋 i by艂o wytrzyma艂e mechanicznie, co przyda膰 si臋 mo偶e w aplikacjach przemys艂owych oraz motoryzacyjnych.

Korzy艣ci w stosunku do tranzystor贸w MOSFET i IGBT maj膮 by膰 znaczne, zw艂aszcza w stosunku sprawno艣ci prze艂膮czania, przewodzenia i strat z tego wynikaj膮cych. Jak podaje producent, poprawa w stosunku do tych technologii, wynosi膰 ma nawet 450% dla nowych tranzystor贸w GaN.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
January 17 2019 14:20 V11.11.0-2