Wysoce wydajne tranzystory MOSFET w miniaturowym wydaniu

Firma Infineon również wprowadza na rynek nowe miniaturowe tranzystory MOSFET o wysokiej efektywności energetycznej. Nowe komponenty IR StrongIRFET przeznaczone są do systemów energetycznych operujących na prądzie stałym, wliczając w to układy zasilania z akumulatorów, sterowniki silników szczotkowych, jak i bezszczotkowych, itd. Nowe komponenty linii StrongIRFET przeznaczone są do pracy w systemach od 40 do 75 V. Cechować je ma niska wartość rezystancji Rds(ON) (od 0.9 do 5.7 mΩ, zależnie od wybranej wersji), co pomagać ma w redukcji strat przewodzenia, obsługa stosunkowo dużych prądów i specjalna konstrukcja, która zapewniać ma wysoką niezawodność. Całość udało się zamknąć w niewielkiej obudowie Medium Can DirectFET. Zapewnia ona chłodzenie z dwóch stron, co pozwoliło nie tylko na zmniejszenie gabarytów przy jednoczesnym zwiększeniu gęstości energii przez nie obsługiwanych (obsługa prądów Id od 217 do 89 A), ale też poprawiło wydajność termiczną. Ostatni parametr udało się poprawić także dzięki relokacji wyprowadzenia bramki do samego rogu, zmniejszając rezystancję termiczną komponentu w połączeniu z płytką. Zwiększa się wydajność, jak również elastyczność i skalowalność, jak podaje producent. Szczegółowe parametry dostępne na stronie producenta: LINK