reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 08 czerwca 2015

Tranzystory z kanałem P z niższą rezystancją Rds(ON)

Nowe tranzystory z kanałem P od Toshiby opracowano według nowego projektu i technologii U-MOS VI, co pozwoliło zmniejszyć straty podczas przewodzenia. Sprzyjają temu także miedziane wyprowadzenia.

Firma Toshiba Electronics Europe przedstawiła nowe tranzystory MOSFET z kanałem typu P, przeznaczone na napięcie -40 V. Są to wydajne komponenty, które mają znaleźć swoje zastosowanie w m.in. w aplikacjach motoryzacyjnych. Oznaczone zostały jako TJ200F04M3L. Posiadają usprawnioną konstrukcję, której projekt pozwolił zmniejszyć straty podczas przewodzenia. Wykorzystano tu też technologię producenta U-MOS VI (trench). Niską wartość Rds(ON) połączono też z niską przewodnością samych wyprowadzeń, które wykonano z miedzi. Rds(ON) ma nie przekraczać 1.8 mΩ (przy Vgs = 10 V). Obsługiwany prąd przewodzenia to maksymalnie 200 A. Maksymalna temperatura operacyjna to 175 stopni Celsjusza. Zamknięte zostały w obudowie TO-220SM. Posiadają kwalifikację AEC-Q101.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
October 11 2019 15:09 V14.5.0-2