Potężne IEGT od Toshiby o poprawionej efektywności

Firma Toshiba Electronics wprowadziła na rynek nowe moduły IEGT (ang. „injection-enhanced gate transistor”) przeznaczonych do pracy z bardzo dużymi mocami. Obsługiwany może być prąd o natężeniu 1200 A i napięcie do 4500 V. Przeznaczeniem są systemy sterowania silnikami dużych mocy (np. kolejowe), czy też systemy energii odnawialnej. Plastikowe moduły łączą w sobie tranzystory IEGT (z kanałem typu N) oraz diodę FRD, dla zwiększenia efektywności, a co za tym idzie także zmniejszenie wymiarów oraz wagi tych komponentów. Całość udało się zamknąć w obudowie o wymiarach 140 na 190 mm. Opisywany moduł oznaczono symbolem MG1200GXH1US61. Oferowana izolacja wytrzymać powinno napięcie 6000 VAC (RMS, przez minutę). Maksymalny chwilowy prąd wyłączenia, jaki moduł jest w stanie przetrzymać wynosi 2400 A. Zdolność do rozpraszania ciepła po stronie kolektora wynosić ma 4000 W przy 25 stopniach Celsjusza. Układ jest w stanie efektywnie pracować w temperaturze od -40 do 150 stopni Celsjusza. Pozwala to na stosowanie go w szerokim zakresie aplikacji.