Wydajne matryce tranzystorów DMOS o zmniejszonych stratach

Firma Toshiba przedstawiła TBD62xxxA, serię która jest następcą TD62xxxA, matryc tranzystorów bipolarnych. Nowa seria jest z nimi kompatybilna i oparto ją na efektywniejszej technologii DMOS („double diffused MOSFET”). Zastosowaniem mają być układy sterowania silnikami, diodami LED, przełącznikami, cewkami, itp. W porównaniu do poprzedniej serii, nowe komponenty mogą pracować z większymi napięciami i prądami (maksimum to 50 V i 0.5 A), a także zmniejszono straty dzięki redukcji rezystancji Rds(ON). Wspomniana redukcja strat wynosić ma nawet 40% w stosunku do poprzedników, jak podaje producent. W nowej ofercie znajdziemy 24 komponenty podzielone m.in. ze względu na obsługiwane napięcia (standardowe wartości Vin(ON)). Przykładowo; układy TBD62003A przeznaczone do pracy z napięciem minimalnym 14V wspierają wartości od 14V do 25V (sygnały wejściowe PMOS), TBD62503A na napięcie minimalne 2.5 V współpracować ma z poziomami logicznymi TTL oraz 3V/5V (CMOS). Dostać je będzie można w kilku obudowach, w tym DIP, SOP/SOL i malutkiej SSOP. Masowa sprzedaż rozpocząć się powinna w drugiej połowie 2015 roku.