reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 19 lutego 2015

IGBT na 650 V ze zredukowanymi stratami przełączania

Dzięki nowej technologii udało się zredukować straty przy przełączaniu, a tym samym zwiększyć efektywność. Sprzyja temu m.in. redukcja napięcia nasycenia Vce(sat).
Firma Infineon Technologies przedstawiła nowe tranzystory IGBT, które cechować się mają bardzo niskim napięciem nasycenia (Vce(sat)), co przekładać się ma na niskie straty przy przełączaniu, zwłaszcza w zakresie pracy od 50 Hz do 20 kHz.

Napięcie przebicia nowych tranzystorów wynosi około 650 V. Nowa rodzina L5 oparta została na technologii TrenchStop 5. Zaprojektowane zostały z myślą o zastosowaniu w falownikach, systemach podtrzymania zasilania (UPS), itp.

Napięcie Vce(sat) wynosi w 25 stopniach Celsjusza tylko 1.05 V. W porównaniu do poprzedników udało się uzyskać poprawę wydajności, choć niewielką jak przyznaje producent. Straty przy przełączaniu są teraz jednak jeszcze mniejsze i wynoszą 1.6 mJ przy 25 stopniach Celsjusza, podczas normalnej pracy. Sprzyjają temu też bardzo małe straty przy przewodności.

Pierwsze komponenty dostać będzie można w obudowie TO-247 3-pin. Wkrótce pojawią się też inne wersje, w tym TO-247 z czterema wyprowadzeniami (Kelvin-Emitter), co ma wprowadzić kolejne, dodatkowe obniżenie strat przełączania, nawet o 20%.

Dostępne mają być komponenty pracujące z prądem o natężeniu do 75 A.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
June 25 2018 09:38 V9.6.1-2