reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 23 lipca 2014

O połowę mniejsza Rds(ON) w nowych tranzystorach eGaN

Małe straty, to wyższa wydajność i możliwość pracy z wysokimi prądami. Dzięki poprawionym też właściwościom termicznym pracować mogą bez obaw w najwydajniejszych zasilaczach. Start ułatwią liczne płytki deweloperskie.

Efficient Power Conversion Corporation (EPC) przedstawiło sześć tranzystorów mocy nowej generacji (4). Przeznaczone są do pracy z napięciem od 30 do 200 V. Nowa rodzina eGaN cechować się ma głównie redukcją Rds(ON), co pozwala na pracę z wyższymi prądami, w porównaniu z tranzystorami poprzednich generacji tego producenta. Poprawiła się też ogólna efektywność, która wynosić ma 98% (przy pracy z częstotliwością 300 kHz, w konwerterze DC/DC nieizolowanym). Do ich stworzenia wykorzystano najnowocześniejsze technologie GaN. Jak podaje producent, dzięki wysokiej gęstości prądowej, tranzystory te mogą być wykorzystane w wysoce wydajnych konwerterach DC/DC, POL, prostownikach synchronicznych i innych zasilaczach nie- oraz izolowanych, stanowiących element np. komputerów klasy PC lub serwerów. Poprawie uległy też właściwości termiczne, co pozwala na osiąganie bardzo dobrych wyników, niemalże bez wpływu warunków otoczenia. W ofercie nie zabrakło też płytek deweloperskich z tymi tranzystorami (EPC9014 i EPC9031 do EPC9034, w konstrukcji Half-Bridge; wykorzystują sterownik LM5113 od TI). Ceny tranzystorów zaczynać się mają od 3,14 USD przy zamówieniu 1000 sztuk.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
September 13 2019 14:28 V14.3.11-2