reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 29 maja 2014

O 30% mniejsze straty w RC IGBT

Firma Infineon zaprezentowała tranzystory IGBT ze wbudowaną wsteczną diodą (RC) 650 V. Redukcja strat o 30% w stosunku do innych podobnych komponentów, pozwala m.in. na możliwość pracy z częstotliwością 40 kHz, mniejszym zużyciem energii o ok 5%, itd.

Firma Infineon Technologies rozszerza swoją ofertę nowej generacji tranzystorów IGBT z przewodzeniem wstecznym („reverse-conducting”). Przeznaczone są do aplikacji rezonansowych. Mniejsze straty, ok 30%, pozwalają je zastosować w szerszej gamie urządzeń. Nową rodzinę oznaczono jako RC-H5. Są to wysoko wydajne komponenty IGBT, jak podaje producent, ze zintegrowaną diodą RC 650 V. Redukcja strat pozwoliła m.in. na zmniejszenie zużycia energii o 5%, czy też możliwość pracy z częstotliwościami sięgającymi 40 kHz. Poprawiono także odporność na EMI, wytrzymałość na blokowanie napięcia i zoptymalizowano wydajność termiczną, co pozwala na pracę tym komponentom w temperaturze do 175 stopni Celsjusza. W ofercie znajdą się tranzystory pracujące z prądem 20, 40 czy 50 A. Wysoka wydajność i elastyczność pozwala na pracę w takich aplikacjach jak np. kuchenki indukcyjne, mikrofalówki i wiele innych aplikacji wykorzystujących topologię mostka H.
Załaduj więcej newsów
September 15 2019 20:56 V14.3.11-2