Mała rezystancja Rds(ON) na duże prądy – nowe NexFET

Firma Texas Instruments wprowadza nowe tranzystory NexFET cechujące się możliwością pracy z napięciem od 40 do 100 V i bardzo niską rezystancją Rds(ON), co pozwala na osiągnięcie wysokiej wydajności. Wartość Rds(ON) oscyluje wokół wartości 2 mΩ w zależności od wybranego modelu. Jak podaje producent, jest to wartość najniższa w tej klasie komponentów. Dodatkową zaletą ma być bardzo dobra efektywność termiczna, pozwalająca na pracę z dużymi prądami. Niska wartość rezystancji i zastosowanie obudowy TO-200 wygodnej w montażu nie poświęca wysokiego ładunku bramki, co dać ma projektantom większą wydajność przy przetwarzaniu energii także przy dużych prądach pracy. Przeznaczeniem mają być sterowniki silników, zasilacze różnego typu, itp. Komponenty te zamknięto w obudowie TO220 oraz SON. CSD19506KCS i CSD19536KCS to wersje odpowiednio na napięcie 80 i 100 V, które dostać będzie można w cenie od 2,30 USD w obudowie TO220. Wersje na napięcie 40, 60 i 80 V, w obudowie SON, również są dostępne.