Szybkie, super-złączowe tranzystory MOSFET czwartej generacji

Firma Toshiba Electronics Europe wprowadza na rynek nową serię tranzystorów MOSFET oznaczoną jako DTMOS IV-H. Są to komponenty wykorzystujące czwartą generację DTMOS. Udało się dzięki temu zbudować elementy szybkie i generujące małe straty, co poprawia ich wydajność, jak zapewnia producent. Tranzystory te pracować mogą z napięciem do 600 V. Ich rezystancja Rds(on) wynosić ma maksymalnie od 0,088 do 0,04 Ω. Znacząco udało się też zmniejszyć pojemności pasożytnicze do nawet 3000 pF. Wszystko to składa się na podwyższenie efektywności pracy tych tranzystorów i zmniejszenie ładunku potrzebnego do załączenia tranzystora o 45% (jest to teraz od 65 do 135 nC), w porównaniu do oryginalnej serii DTMOS IV. Prąd drenu wynosić może nawet 61,8 A, jak podaje producent. Serię DTMOS IV-H dostać będziemy mogli w obudowach: TO-247, a także wkrótce TO-220, TO-220SIS i DFN.