Tranzystory MOSFET SiC na temperatury 200 stopni Celsjusza

Firma STMicroelectronics wprowadza do masowej produkcji nowe tranzystory MOSFET SiC. Do głównych zalet SCT30N120 zalicza się niska rezystancja Rds(on) wynoszące 80 mΩ przy 25 stopni Celsjuszach. Wartość ta nie przekracza 100 mΩ w całym zakresie temperaturowym pracy. Zakres ten jest bardzo szeroki i rozciąga się do wartości 200 stopni Celsjusza, co również zalicza się do zalet omawianych tranzystorów. Elementy te cechuje ponadto niski ładunek bramki i prądu upływu (ok 10 uA). Wszystko ma służyć podniesieniu efektywności, żywotności i niezawodności. Technologia SiC, wykorzystana w tych MOSFETach pozwala zaoszczędzić nawet 50% energii, w porównaniu do konwencjonalnych rozwiązań opartych na krzemie. Mogą być też takie komponenty mniejsze, przy zwiększeniu napięcia przebicia. Wykorzystane mają być w falownikach, systemach fotowoltaicznych, pojazdach elektrycznych, przemyśle, itd. Tranzystory te pracować mają z napięciem do 1200 V. Dostępne mają być w obudowie HiP247, w cenie od 35 USD.