Nowe tranzystory STM w jeszcze mniejszych obudowach

Firma STMIcroelectronics rozszerza swoją ofertę zaawansowanych, wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET. Zaprezentowano komponenty umieszczone w nowych obudowach. Mowa tu o PowerFLAT o wymiarach 5 na 6 mm w dwóch wariantach: HV i VHV. Są one o 52% mniejsze od popularnie stosowanej obudowy typu DPAK. Pomimo jednak tej różnicy, izolacja pomiędzy ścieżkami ma być większa, zapewniając ich większą niezawodność. Przeznaczono je do pracy z napięciem 650 i 800 V. Jest tu także wyprowadzenie drenu o dużej powierzchni, by pomóc w efektywnym rozpraszaniu ciepła. Pozwala to dodatkowo zapewnić większą niezawodność. Trzy z tranzystorów MOSFET 650 V MDmesh V w obudowie PowerFLAT 5x6 HV dostaniemy w cenie od 2,20 USD. Cztery MOSFETy SuperMESH 5, przeznaczone do pracy z wysokim napięciem 800 V dostać będzie można w cenie od 1,50 USD.