© Evertiq
Komponenty |
Bardzo wydajne i szybkie MOSFETy SMD
Firma TEE zaprezentowała nową rodzinę tranzystorów MOSFET o wysokiej wydajności przeznaczone do montażu SMD. Mają cechować najlepszą wartością Rds(on) w swojej klasie i niskimi wartościami Qg i pojemności wejściowej Ciss. Całość zoptymalizowana do pracy z wysokimi częstotliwościami.
Firma Toshiba Electronics Europe wprowadza na rynek nową rodzinę niewielkich tranzystorów MOSFET UMOS VIII-H. Mają być to komponenty o bardzo dużej efektywności, jak podaje producent, które zapewnić mają nie tylko redukcję strat, ale także oszczędności w zajmowanym miejscu na płytce PCB.
W ofercie znajdą się elementy przeznaczone do pracy z napięciem: 60, 80, 100, 150, 200 i 250 V. Każdy dostępny ma być w kompaktowych obudowach: TSOP Advance lub SOP Advance o wymiarach odpowiednio 3 na 3 mm i 5 na 6 mm.
Cechować się mają przy tym najlepszymi wartościami RDS(on) w swojej klasie. Dla przykładu, tranzystor oznaczony jako TPH4R50ANH, który pracować może przy napięciu 100 V i sterowany napięciem 10 V posiadać ma Rds(on) wynoszące 4,5 mΩ. Innym przykładem może być TPH2900ENH, pracujący przy napięciu 200 V i również sterowany napięciem 10 V, który posiada Rds(on) wynoszące 29 mΩ.
Oprócz tego, wszystkie MOSFETy z tej rodziny charakteryzować się mają niską wartością ładunku bramki Qg i niską pojemnością wejściową Ciss. Oparte zostały na 8-generacji procesu UMOS Trench.
Przeznaczone są do zastosowania w urządzeniach przemysłowych, telekomunikacyjnych, domowych, komputerowych, konsolach, itp. Służyć mają przede wszystkich w konwersji AC/DC i DC/DC.