reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 04 lutego 2014

Bardzo wydajne i szybkie MOSFETy SMD

Firma TEE zaprezentowa艂a now膮 rodzin臋 tranzystor贸w MOSFET o wysokiej wydajno艣ci przeznaczone do monta偶u SMD. Maj膮 cechowa膰 najlepsz膮 warto艣ci膮 Rds(on) w swojej klasie i niskimi warto艣ciami Qg i pojemno艣ci wej艣ciowej Ciss. Ca艂o艣膰 zoptymalizowana do pracy z wysokimi cz臋stotliwo艣ciami.
Firma Toshiba Electronics Europe wprowadza na rynek now膮 rodzin臋 niewielkich tranzystor贸w MOSFET UMOS VIII-H. Maj膮 by膰 to komponenty o bardzo du偶ej efektywno艣ci, jak podaje producent, kt贸re zapewni膰 maj膮 nie tylko redukcj臋 strat, ale tak偶e oszcz臋dno艣ci w zajmowanym miejscu na p艂ytce PCB. W ofercie znajd膮 si臋 elementy przeznaczone do pracy z napi臋ciem: 60, 80, 100, 150, 200 i 250 V. Ka偶dy dost臋pny ma by膰 w kompaktowych obudowach: TSOP Advance lub SOP Advance o wymiarach odpowiednio 3 na 3 mm i 5 na 6 mm. Cechowa膰 si臋 maj膮 przy tym najlepszymi warto艣ciami RDS(on) w swojej klasie. Dla przyk艂adu, tranzystor oznaczony jako TPH4R50ANH, kt贸ry pracowa膰 mo偶e przy napi臋ciu 100 V i sterowany napi臋ciem 10 V posiada膰 ma Rds(on) wynosz膮ce 4,5 m惟. Innym przyk艂adem mo偶e by膰 TPH2900ENH, pracuj膮cy przy napi臋ciu 200 V i r贸wnie偶 sterowany napi臋ciem 10 V, kt贸ry posiada Rds(on) wynosz膮ce 29 m惟. Opr贸cz tego, wszystkie MOSFETy z tej rodziny charakteryzowa膰 si臋 maj膮 nisk膮 warto艣ci膮 艂adunku bramki Qg i nisk膮 pojemno艣ci膮 wej艣ciow膮 Ciss. Oparte zosta艂y na 8-generacji procesu UMOS Trench. Przeznaczone s膮 do zastosowania w urz膮dzeniach przemys艂owych, telekomunikacyjnych, domowych, komputerowych, konsolach, itp. S艂u偶y膰 maj膮 przede wszystkich w konwersji AC/DC i DC/DC.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
March 19 2019 14:55 V12.5.7-2