reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 04 lutego 2014

Bardzo wydajne i szybkie MOSFETy SMD

Firma TEE zaprezentowała nową rodzinę tranzystorów MOSFET o wysokiej wydajności przeznaczone do montażu SMD. Mają cechować najlepszą wartością Rds(on) w swojej klasie i niskimi wartościami Qg i pojemności wejściowej Ciss. Całość zoptymalizowana do pracy z wysokimi częstotliwościami.

Firma Toshiba Electronics Europe wprowadza na rynek nową rodzinę niewielkich tranzystorów MOSFET UMOS VIII-H. Mają być to komponenty o bardzo dużej efektywności, jak podaje producent, które zapewnić mają nie tylko redukcję strat, ale także oszczędności w zajmowanym miejscu na płytce PCB. W ofercie znajdą się elementy przeznaczone do pracy z napięciem: 60, 80, 100, 150, 200 i 250 V. Każdy dostępny ma być w kompaktowych obudowach: TSOP Advance lub SOP Advance o wymiarach odpowiednio 3 na 3 mm i 5 na 6 mm. Cechować się mają przy tym najlepszymi wartościami RDS(on) w swojej klasie. Dla przykładu, tranzystor oznaczony jako TPH4R50ANH, który pracować może przy napięciu 100 V i sterowany napięciem 10 V posiadać ma Rds(on) wynoszące 4,5 mΩ. Innym przykładem może być TPH2900ENH, pracujący przy napięciu 200 V i również sterowany napięciem 10 V, który posiada Rds(on) wynoszące 29 mΩ. Oprócz tego, wszystkie MOSFETy z tej rodziny charakteryzować się mają niską wartością ładunku bramki Qg i niską pojemnością wejściową Ciss. Oparte zostały na 8-generacji procesu UMOS Trench. Przeznaczone są do zastosowania w urządzeniach przemysłowych, telekomunikacyjnych, domowych, komputerowych, konsolach, itp. Służyć mają przede wszystkich w konwersji AC/DC i DC/DC.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
May 21 2019 21:58 V13.3.9-1