reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 27 stycznia 2014

Podwójny asymetryczny TrenchFET o 57% ni偶szym RDS(on)

Firma Vishay wprowadza nowy podw贸jny tranzystor, asymetryczny w uk艂adzie PowerPAIR, wykorzystujacy technologi臋 TrenchFET czwartej generacji. Cechuje je mniejszy RDS(on) o 57%, wy偶sza efektywno艣膰 o 5%, wi臋ksza g臋sto艣膰 energii, itd.
Firma Vishay przedstawi艂a nowy tranzystor oznaczony jako SiZ340DT. Jest to asymetryczny, podw贸jny MOSFET wykorzystuj膮cy najnowsz膮 technologi臋 TrenchFET czwartej generacji i PowerPAIR (艂膮cz膮c dwa elementy w jednej obudowie). W por贸wnaniu do podobnych komponent贸w konkurencyjnych, nowy tranzystor cechuje si臋 o 57% ni偶sz膮 warto艣ci膮 rezystancji RDS(on), o 5% poprawion膮 efektywno艣ci膮 i 25% wi臋ksz膮 g臋sto艣ci膮 energii. Owocuje to rezystancj膮 wynosz膮c膮 nawet 5.1 m惟 (przy sterowaniu napi臋ciem 10 V, przy 4,5 V warto艣膰 ta wzrasta do 7 m惟). Wydajno艣膰 pr膮dowa si臋ga膰 mo偶e od 10 do nawet 15 A, jak podaje producent w swojej notce, przy zastosowaniach w topologiach DC/DC i napi臋ciu wyj艣ciowym 2 V. Zoptymalizowano je do zastosowania w przetwornicach synchronicznych obni偶aj膮cych napi臋cie, do system贸w telekomunikacyjnych, serwer贸w, w urz膮dzeniach mobilnych, komputerach, konsolach, konwerterach POL, zasilaczach FPGA, itd. W por贸wnaniu do komponent贸w poprzedniej generacji, tranzystor ten pracuj膮cy w tych samych warunkach ma by膰 o 30% ch艂odniejszy, jak podaje producent. 艁adunek potrzebny do wysterowania kana艂u (1) to tylko 5.6 nC. Pracowa膰 mo偶e z cz臋stotliwo艣ci膮 450 kHz. Zamkni臋to go w niewielkiej obudowie o wymiarach 3 na 3 mm. Ma to by膰 wi臋c o 77% mniej, ni偶 inne podobne komponenty, kt贸re najcz臋艣ciej znajdziemy w obudowach PowerPAK 1212-8, czy te偶 PowerPAK SO-8.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 21 2019 14:28 V12.2.5-1