reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 27 stycznia 2014

Podwójny asymetryczny TrenchFET o 57% niższym RDS(on)

Firma Vishay wprowadza nowy podwójny tranzystor, asymetryczny w układzie PowerPAIR, wykorzystujacy technologię TrenchFET czwartej generacji. Cechuje je mniejszy RDS(on) o 57%, wyższa efektywność o 5%, większa gęstość energii, itd.

Firma Vishay przedstawiła nowy tranzystor oznaczony jako SiZ340DT. Jest to asymetryczny, podwójny MOSFET wykorzystujący najnowszą technologię TrenchFET czwartej generacji i PowerPAIR (łącząc dwa elementy w jednej obudowie). W porównaniu do podobnych komponentów konkurencyjnych, nowy tranzystor cechuje się o 57% niższą wartością rezystancji RDS(on), o 5% poprawioną efektywnością i 25% większą gęstością energii. Owocuje to rezystancją wynoszącą nawet 5.1 mΩ (przy sterowaniu napięciem 10 V, przy 4,5 V wartość ta wzrasta do 7 mΩ). Wydajność prądowa sięgać może od 10 do nawet 15 A, jak podaje producent w swojej notce, przy zastosowaniach w topologiach DC/DC i napięciu wyjściowym 2 V. Zoptymalizowano je do zastosowania w przetwornicach synchronicznych obniżających napięcie, do systemów telekomunikacyjnych, serwerów, w urządzeniach mobilnych, komputerach, konsolach, konwerterach POL, zasilaczach FPGA, itd. W porównaniu do komponentów poprzedniej generacji, tranzystor ten pracujący w tych samych warunkach ma być o 30% chłodniejszy, jak podaje producent. Ładunek potrzebny do wysterowania kanału (1) to tylko 5.6 nC. Pracować może z częstotliwością 450 kHz. Zamknięto go w niewielkiej obudowie o wymiarach 3 na 3 mm. Ma to być więc o 77% mniej, niż inne podobne komponenty, które najczęściej znajdziemy w obudowach PowerPAK 1212-8, czy też PowerPAK SO-8.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
May 14 2019 20:21 V13.3.8-2