Szybsze przełączanie i niezawodność IGBT 1200 V

Firma Fairchild Semiconductor wprowadza na rynek nowe tranzystory IGBT, przeznaczone do zastosowań przemysłowych, jak inwertery solarne, zasilacze, UPS, itd. Pracować mogą z napięciem do 1200 V. VCE(sat) jest na poziomie 1,8 V, co zapewniać ma niskie straty przy przewodzeniu (wartość ta ma być mniejsza, niż w poprzednich generacjach). Straty przy przełączaniu są możliwe m.in. dzięki nieskiemu EOFF, które wynosi 30 uJ/A. Wszystko po to, by pozwolić projektantom urządzeń wykorzystywać jeszcze szybsze przełączanie i wykorzystać wyższe częstotliwości, w porównaniu do produktów konkurencji, jak zapewnia producent. Dodatkową zaletą ma być zredukowanie wymiarów i kosztów gotowej aplikacji, między innymi dzięki zastosowaniu tańszych (i mniejszych) kondensatorów i elementów indukcyjnych. Zamknięto je w obudowie TO247. W ofercie znajdą się komponenty: FGH15T120SMD_F155, FGH25T120SMD_F155, FGH40T120SMD_F155 mogące pracować z prądem o natężeniu odpowiednio 15, 25 i 40 A. Ich ceny zaczynać się mają od: 3,30 USD, 4,65 USD i 6,30 USD, przy zamówieniu 1000 sztuk.