© Evertiq
Komponenty |
MOSFET o rezystancji < 1 mΩ
Firmie APEC udało się stworzyć tranzystor MOSFET przeznaczony do pracy z napięciem do 30 V przekraczając barierę 1 mΩ przy Rds(on). Pracować więc może dzięki temu z bardzo dużymi prądami.
Firma APEC zaoferowała nowy tranzystor MOSFET oznaczony symbolem AP1A003GMT-HF-3. Jest to komponent, który na rynku wyróżnia się przede wszystkim bardzo niską wartością rezystancji Rds(on) na poziomie nie przekraczającym 1 mΩ (maksymalnie ma to być 0,99 mΩ, jak podaje producent).
Komponent ten może dzięki temu pracować z dużymi prądami. Jak podaje w notatce prasowej firma APEC, wartość obsługiwanego prądu dochodzić może do nawet 260 A (standardowo, prąd ciągły w okolicach 50 A +/- 5 A zależnie od temperatury otoczenia). Napięcie nie powinno przekraczać 30 V.
Warto dodać, że całość udało się zamknąć w obudowie PMPAK5x6, o wymiarach 5 na 6 mm. Całość przypomina popularne obudowie SO-8, z tą różnicą, że jest tu dodatkowy, specjalny 'pad termiczny'.
Producent podaje, że komponent ten nie ma przy tym specjalnych wymagań, także w kwestii sterowania. Próbki są już dostępne. Pracować może w temperaturze od -55 do 150 stopni Celjusza. Rezystancja termiczna tego tranzystora wynosić powinna około 1.2 K/W.
