reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 22 października 2013

Wydajny MOSFET ze wspólnym drenem do systemów akumulatorowych

Firma AOS zaprezentowała nowe tranzystory MOSFET (podwójne) ze wspólnym drenem. Zastosowaniem mają być zestawy baterii, czemu sprzyja RSS nie przekraczające 10 mΩ i chrona ESD do 4 kV.

Firma Alpha and Omega Semiconductor zaprezentowała nowe tranzystory MOSFET, podwójne, ze wspólnym drenem. W ofercie znajdziemy takie komponenty jak: AON6810, AON6812 i AON4810. Są to komponenty z kanałem typu N, które mają znaleźć zastosowanie w przy systemach zasilania (w akumulatorach) w nowoczesnych ultrabookach, tabletach, itd. Oparto je na technologii AlphaMOS, która łączy w sobie niską wartość Rds(on) i ochronę ESD do 4 kV. AON6812 cechuje się rezystancją RSS (source-to-source) 8 mΩ. Podobnie jest z AON6810. Rezystancja RSS AON4810 wynosi 8.8 mΩ. Podane wartości dotyczą wysterowania napięciem 10 V. AON6810 dodatkowo integruje w sobie czujnik temperatury (wykorzystujący diodę), za pomocą którego układ sterujący będzie w stanie poznać temperaturę opisywanego elementu wykonawczego, podejmując odpowiednie kroki w razie przegrzania (bądź poinformować o tym użytkownika). AON6810 i AON6812 znajdziemy w obudowie DFN o wymiarach 5 na 6 mm, usprawnioną pod względem termicznym (lepsze odprowadzanie ciepła). AON4810 zamknięto w obudowie Micro-DFN, co stanowić ma bezpieczniejszą alternatywę dla typowych obudów w tym formacie (CSP). Komponenty te dostać będziemy mogli w cenie odpowiednio: 0.78, 0.82 i 0.52 USD, przy zamówieniu 1000 sztuk.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
May 21 2019 21:58 V13.3.9-2