Efektywne i bardzo szybkie tranzystory eGaN na 100 V

Korporacja EPC zaprezentowała swoje nowe wzbogacone tranzystory wykonane z azotku galu (eGaN). Są to niewielkie komponenty o wydajności prądowej wynoszącej 11 A i przeznaczone do pracy z napięciem 100 V. Omawiany komponent oznaczony został symbolem EPC2016. RDS(on), przy wysterowaniu bramki napięciem 5 V, wynosić ma 16 mΩ. Cecha ta, wraz z niskim poziomem QG i możliwością pracy z wysoką częstotliwością (jak zapewnia producent), czyni ten tranzystor wysoce wydajnym komponentem. W porównaniu do rozwiązań konwencjonalnych o podobnym RDS(on), omawiane tranzystory są dużo mniejsze i szybsze. Zajmują powierzchnię zaledwie 3.36 mm2. Ich przeznaczeniem mają być superszybkie przetwornice DC-DC, konwertery, wzmacniacze audio klasy D, itd. Ceny EPC2016 zaczynać się mają od 1,61 USD przy zamówieniu 1000 sztuk. W ofercie znajdziemy również dedykowaną płytkę deweloperską.