reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 20 września 2013

Efektywne i bardzo szybkie tranzystory eGaN na 100 V

Korporacja EPC wypuszcza nowe wzbogacone tranzystory GaN na napięcia 100 V, które cechuje m.in. RDS(on) wynoszące 16 mΩ, co zapewniać ma ich wysoką wydajność.

Korporacja EPC zaprezentowała swoje nowe wzbogacone tranzystory wykonane z azotku galu (eGaN). Są to niewielkie komponenty o wydajności prądowej wynoszącej 11 A i przeznaczone do pracy z napięciem 100 V. Omawiany komponent oznaczony został symbolem EPC2016. RDS(on), przy wysterowaniu bramki napięciem 5 V, wynosić ma 16 mΩ. Cecha ta, wraz z niskim poziomem QG i możliwością pracy z wysoką częstotliwością (jak zapewnia producent), czyni ten tranzystor wysoce wydajnym komponentem. W porównaniu do rozwiązań konwencjonalnych o podobnym RDS(on), omawiane tranzystory są dużo mniejsze i szybsze. Zajmują powierzchnię zaledwie 3.36 mm2. Ich przeznaczeniem mają być superszybkie przetwornice DC-DC, konwertery, wzmacniacze audio klasy D, itd. Ceny EPC2016 zaczynać się mają od 1,61 USD przy zamówieniu 1000 sztuk. W ofercie znajdziemy również dedykowaną płytkę deweloperską.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
May 21 2019 21:58 V13.3.9-1