reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 20 wrze艣nia 2013

Efektywne i bardzo szybkie tranzystory eGaN na 100 V

Korporacja EPC wypuszcza nowe wzbogacone tranzystory GaN na napi臋cia 100 V, kt贸re cechuje m.in. RDS(on) wynosz膮ce 16 m惟, co zapewnia膰 ma ich wysok膮 wydajno艣膰.
Korporacja EPC zaprezentowa艂a swoje nowe wzbogacone tranzystory wykonane z azotku galu (eGaN). S膮 to niewielkie komponenty o wydajno艣ci pr膮dowej wynosz膮cej 11 A i przeznaczone do pracy z napi臋ciem 100 V. Omawiany komponent oznaczony zosta艂 symbolem EPC2016.

RDS(on), przy wysterowaniu bramki napi臋ciem 5 V, wynosi膰 ma 16 m惟. Cecha ta, wraz z niskim poziomem QG i mo偶liwo艣ci膮 pracy z wysok膮 cz臋stotliwo艣ci膮 (jak zapewnia producent), czyni ten tranzystor wysoce wydajnym komponentem.

W por贸wnaniu do rozwi膮za艅 konwencjonalnych o podobnym RDS(on), omawiane tranzystory s膮 du偶o mniejsze i szybsze. Zajmuj膮 powierzchni臋 zaledwie 3.36 mm2. Ich przeznaczeniem maj膮 by膰 superszybkie przetwornice DC-DC, konwertery, wzmacniacze audio klasy D, itd.

Ceny EPC2016 zaczyna膰 si臋 maj膮 od 1,61 USD przy zam贸wieniu 1000 sztuk. W ofercie znajdziemy r贸wnie偶 dedykowan膮 p艂ytk臋 dewelopersk膮.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
January 17 2019 14:20 V11.11.0-2