Zoptymalizowane TrenchFET z kanałem typu P

Firma Vishay wprowadza na rynek nowe tranzystory TrenchFET: Si443DN i SiSS27DN. Przeznaczone są do pracy z napięciem odpowiednio -40 i -30 V. Są to komponenty z kanałem P. Pracować mogą z napięciem bramki -10 i 4,5 V. Co więcej, cechują się niską rezystancją Rds(on): 5,6 i 11,7 Ω przy napięciu 10 V. Zoptymalizowane zostały do pracy w systemach zasilania 24, 19 i 12 V, w takich urządzeniach jak: zasilacze komputerowe i urządzeń przenośnych, systemach przemysłowych i aplikacjach zasilanych z akumulatorów. Niski spadek napięcia na nich owocować ma wysoką wydajnością i wydłużać czas pracy baterii. Tranzystory zamknięto w obudowie PowerPAK. Pierwszy z nich w 1212-8, a drugi z nich 1212-8S. Można już składać zamówienia. Oprócz tego producent udostępnia próbki.