Super-złączowe MOSFETy o małych stratach

Firma STMicroelectronics wprowadza na rynek nowe, super-złączowe tranzystory MOSFET Mdmesh V. Cechują się nową obudową i poprawioną efektywnością. Jedną z metod na jej poprawę jest wprowadzenie czegoś, co już na pierwszy rzut oka wyróżnia te komponenty – dodatkowego wyprowadzenia. Pozwala to poprawić efektywność przełączania. Wiąże się z redukcją strat przy pracy z wysokimi częstotliwościami. W porównaniu do konwencjonalnych produktów konkurencji, producent chwali się redukcją strat aż o 60%. Równie ważna jest także sama innowacyjna obudowa. Oznaczona jako TO247-4 opracowana została wspólnie z firmą Infineon. Nie wymaga się przy tym znacznych poprawek projektów płytek PCB, przy modyfikacji tych dostosowanych do oryginalnych konstrukcji TO247. Nowa obudowa cechuje się poprawioną rezystancją termiczną. Przykładem jest tranzystor oznaczony jako STW57N65M5-4. Do jego zalet, oprócz tych wymienionych wyżej należy: wysoka odporność na szumy, w tym podatność na zakłócenia EM, możliwość pracy z wyższymi napięciami, zwiększona żywotność, itd. Zastosowaniem mają być telewizory, PC, telekomunikacyjne i zasilacze.