TrenchFET w ulepszonych obudowach na 150 V

Firma Vishay zaprezentowała nowe tranzystory MOSFET wykonane w technologii TrenchFET. Jest to konstrukcja ulepszona, ale nie tylko pod względem parametrów elektrycznych. Usprawnieniu uległa także obudowa w której te tranzystory zamknięto: PowerPAK SO-8. SiR872ADP, bo tak oznaczono omawiane MOSFETy, pracować mogą z napięciem od 80 do 150 V. Warto jednak zwrócić uwagę na inny parametr, a mianowicie rezystancję Rds(on). Przy 10 V jest to tylko 18 mΩ, zaś przy 7,5 to 23 mΩ. Wartości te są o około 45% mniejsze w porównaniu do poprzedniej generacji tych komponentów. Przekłada się to oczywiście na mniejsze straty i zwiększenie sprawności gotowej aplikacji, w której zastosujemy te tranzystory. Niski jest również ładunek potrzebny do ich załączenia: 31 nC przy 10 V i 22,8 nC przy 7,5 V.