reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Przemys艂 elektroniczny | 23 kwietnia 2012

h-BN idealnym dope艂nieniem grafenu

Heksagonalny azotek boru (h-BN) mo偶e by膰 idealnym dielektrykiem w kolejnych generacjach podzespo艂贸w elektronicznych.
Mi臋dzynarodowy zesp贸艂 naukowc贸w bada艂, jak h-BN zachowuje si臋 w roli warstwy przedzielaj膮cej dwie warstwy przewodz膮ce. Uczeni odkryli, 偶e liczba elektron贸w tunelowanych przez taki dielektryk zale偶y wyk艂adniczo od liczby jego warstw.

- Azotek boru to, podobnie jak grafen, struktura dwuwymiarowa. W przeciwie艅stwie do grafenu jest on jednak izolatorem. W miar臋 miniaturyzacji tranzystor贸w h-BN b臋dzie prawdopodobnie najlepszym materia艂em u偶ywanym w roli dielektryka - powiedzia艂 Liam Britnell z University of Manchester.

Cz艂onkiem grupy badawczej by艂 jeden z odkrywc贸w grafenu, Konstantin Novoselov, oraz inni uczeni z Wielkiej Brytanii, Rosji, USA, Singapuru i Holandii. Britnell uwa偶a, 偶e przysz艂e tranzystory mog膮 by膰 zbudowane z grafenu i azotku boru. Oba materia艂y maj膮 bowiem podobn膮 struktur臋 siatki krystalicznej, ale odmienne w艂a艣ciwo艣ci elektroniczne. O tym, jak obiecuj膮ce mo偶e by膰 po艂膮czenie obu materia艂贸w pisali艣my w notce聽Azotek boru lepszy dla grafenu ni偶 krzem.

Podczas swoich najnowszych bada艅 uczeni skupili si臋 na badaniu diod tuneluj膮cych, w kt贸rych h-BN wykorzystano w roli izolatora pomi臋dzy takimi materia艂ami jak grafen, grafit i z艂oto. Precyzyjne pomiary wykaza艂y, 偶e ju偶 pojedyncza warstwa heksagonalnego azotku boru dzia艂a efektywna bariera, a przep艂yw pr膮du zmniejsza si臋 wraz ze wzrostem liczby warstw. Do ca艂kowitego zatrzymania tunelowania elektron贸w pomi臋dzy warstwami grafenu dochodzi, gdy przedzielimy je wi臋cej ni偶 sze艣cioma warstwami h-BN.

Naukowcy m贸wi膮, 偶e teraz skupi膮 si臋 na poszukiwaniu p贸艂przewodnika, kt贸ry uzupe艂ni konfiguracj臋 h-BN/grafen.

- By艂oby wspaniale znale藕膰 taki materia艂. Chcemy po艂膮czy膰 w warstwy grafen, h-BN i inne materia艂y i stworzy膰 z nich nowe struktury tr贸jwymiarowe. Mamy nadziej臋, 偶e dzi臋ki temu odkryjemy nowe w艂a艣ciwo艣ci fizyczne oraz nowe sposoby tworzenia elektroniki - stwierdzi艂 Britnell.

殴r贸d艂o: PhysicsWorld/Kopalnia Wiedzy
reklama
reklama
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
December 13 2018 13:08 V11.10.14-1