reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Przemysł elektroniczny | 23 kwietnia 2012

h-BN idealnym dopełnieniem grafenu

Heksagonalny azotek boru (h-BN) może być idealnym dielektrykiem w kolejnych generacjach podzespołów elektronicznych.
Międzynarodowy zespół naukowców badał, jak h-BN zachowuje się w roli warstwy przedzielającej dwie warstwy przewodzące. Uczeni odkryli, że liczba elektronów tunelowanych przez taki dielektryk zależy wykładniczo od liczby jego warstw.

- Azotek boru to, podobnie jak grafen, struktura dwuwymiarowa. W przeciwieństwie do grafenu jest on jednak izolatorem. W miarę miniaturyzacji tranzystorów h-BN będzie prawdopodobnie najlepszym materiałem używanym w roli dielektryka - powiedział Liam Britnell z University of Manchester.

Członkiem grupy badawczej był jeden z odkrywców grafenu, Konstantin Novoselov, oraz inni uczeni z Wielkiej Brytanii, Rosji, USA, Singapuru i Holandii. Britnell uważa, że przyszłe tranzystory mogą być zbudowane z grafenu i azotku boru. Oba materiały mają bowiem podobną strukturę siatki krystalicznej, ale odmienne właściwości elektroniczne. O tym, jak obiecujące może być połączenie obu materiałów pisaliśmy w notce Azotek boru lepszy dla grafenu niż krzem.

Podczas swoich najnowszych badań uczeni skupili się na badaniu diod tunelujących, w których h-BN wykorzystano w roli izolatora pomiędzy takimi materiałami jak grafen, grafit i złoto. Precyzyjne pomiary wykazały, że już pojedyncza warstwa heksagonalnego azotku boru działa efektywna bariera, a przepływ prądu zmniejsza się wraz ze wzrostem liczby warstw. Do całkowitego zatrzymania tunelowania elektronów pomiędzy warstwami grafenu dochodzi, gdy przedzielimy je więcej niż sześcioma warstwami h-BN.

Naukowcy mówią, że teraz skupią się na poszukiwaniu półprzewodnika, który uzupełni konfigurację h-BN/grafen.

- Byłoby wspaniale znaleźć taki materiał. Chcemy połączyć w warstwy grafen, h-BN i inne materiały i stworzyć z nich nowe struktury trójwymiarowe. Mamy nadzieję, że dzięki temu odkryjemy nowe właściwości fizyczne oraz nowe sposoby tworzenia elektroniki - stwierdził Britnell.

Źródło: PhysicsWorld/Kopalnia Wiedzy

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
June 25 2018 09:38 V9.6.1-2