reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© dmitriy-podlipayev-dreamstime.com Przemysł elektroniczny | 18 kwietnia 2012

18,8 mln PLN pochłonie InTechFun

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i techniki sensorowych (InTechFun) – projekt dedykowany nanoelektronice i sektorowi nanofotonicznemu.
Projekt kluczowy InTechFun realizowany jest w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka 2007 — 2013, Działanie 1.3 Wsparcie projektów B+R na rzecz przedsiębiorców realizowanych przez jednostki naukowe, Poddziałanie 1.3.1 Projekty rozwojowe, w sektorze Technologii informacyjnych i telekomunikacyjnych i Optoelektroniki. Zakończenie projektu ma nastąpić do końca 2013 r. Jego wartość szacuje się na 18.829.069 PLN, przy dofinansowaniu unijnym na poziomie 15.672.121 PLN.

Koordynatorem projektu jest Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie. Liderem Projektu jest Pani Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska – kierownik Zakładu Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych ITE.
W projekcie InTechFun uczestniczy 6 uczelni i Instytut (obejmujących 14 zespołów badawczych):
  1. Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie;
  2. Instytut Fizyki PAN w Warszawie;
  3. Politechnika Warszawska;
  4. Politechnika Śląska w Gliwicach;
  5. Politechnika Łódzka;
  6. Wojskowa Akademia Techniczna w Warszawie.

Zadaniem InTechFun jest stworzenie nowej infrastruktury badawczo-rozwojowej, podstaw dla rozwoju infrastruktury produkcyjnej w niewielkiej skali oraz zainicjowanie wytwarzania i wprowadzania polskich produktów na światowy rynek technologii społeczeństwa informacyjnego.

Celem naukowym projektu jest opracowanie innowacyjnych rozwiązań technologicznych umożliwiających realizację nowych przyrządów półprzewodnikowych, wytwarzanych w oparciu o półprzewodniki szerokoprzerwowe, ze szczególnym uwzględnieniem struktur, w których elementy czynne wykorzystywać będą najbardziej perspektywiczne układy materiałowe:
- ZnO i półprzewodniki pokrewne, w tym domieszkowane jonami magnetycznymi;
- GaN i materiały pokrewne, w tym domieszkowane jonami magnetycznymi oraz
- SiC.

W centrum projektu będą indywidualne procesy technologiczne wytwarzania i kształtowania cienkowarstwowych struktur półprzewodnikowych, metalicznych i dielektrycznych, opracowane w postaci uniwersalnych modułów technologicznych, a następnie integrowane w pełny cykl technologiczny wytwarzania struktur przyrządowych, tak by w końcowym etapie projektu zademonstrować ich funkcjonalność w modelowych przyrządach elektronicznych i optoelektronicznych oraz wybranych sensorach.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
Załaduj więcej newsów
October 15 2018 23:56 V11.6.0-2