reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© dmitriy-podlipayev-dreamstime.com Przemysł elektroniczny | 18 kwietnia 2012

18,8 mln PLN pochłonie InTechFun

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i techniki sensorowych (InTechFun) – projekt dedykowany nanoelektronice i sektorowi nanofotonicznemu.

Projekt kluczowy InTechFun realizowany jest w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka 2007 — 2013, Działanie 1.3 Wsparcie projektów B+R na rzecz przedsiębiorców realizowanych przez jednostki naukowe, Poddziałanie 1.3.1 Projekty rozwojowe, w sektorze Technologii informacyjnych i telekomunikacyjnych i Optoelektroniki. Zakończenie projektu ma nastąpić do końca 2013 r. Jego wartość szacuje się na 18.829.069 PLN, przy dofinansowaniu unijnym na poziomie 15.672.121 PLN. Koordynatorem projektu jest Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie. Liderem Projektu jest Pani Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska – kierownik Zakładu Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych ITE. W projekcie InTechFun uczestniczy 6 uczelni i Instytut (obejmujących 14 zespołów badawczych):   1. Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie;   2. Instytut Fizyki PAN w Warszawie;   3. Politechnika Warszawska;   4. Politechnika Śląska w Gliwicach;   5. Politechnika Łódzka;   6. Wojskowa Akademia Techniczna w Warszawie. Zadaniem InTechFun jest stworzenie nowej infrastruktury badawczo-rozwojowej, podstaw dla rozwoju infrastruktury produkcyjnej w niewielkiej skali oraz zainicjowanie wytwarzania i wprowadzania polskich produktów na światowy rynek technologii społeczeństwa informacyjnego. Celem naukowym projektu jest opracowanie innowacyjnych rozwiązań technologicznych umożliwiających realizację nowych przyrządów półprzewodnikowych, wytwarzanych w oparciu o półprzewodniki szerokoprzerwowe, ze szczególnym uwzględnieniem struktur, w których elementy czynne wykorzystywać będą najbardziej perspektywiczne układy materiałowe: - ZnO i półprzewodniki pokrewne, w tym domieszkowane jonami magnetycznymi; - GaN i materiały pokrewne, w tym domieszkowane jonami magnetycznymi oraz - SiC. W centrum projektu będą indywidualne procesy technologiczne wytwarzania i kształtowania cienkowarstwowych struktur półprzewodnikowych, metalicznych i dielektrycznych, opracowane w postaci uniwersalnych modułów technologicznych, a następnie integrowane w pełny cykl technologiczny wytwarzania struktur przyrządowych, tak by w końcowym etapie projektu zademonstrować ich funkcjonalność w modelowych przyrządach elektronicznych i optoelektronicznych oraz wybranych sensorach.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
September 15 2019 20:56 V14.3.11-1