reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© dmitriy-podlipayev-dreamstime.com Przemys艂 elektroniczny | 18 kwietnia 2012

18,8 mln PLN poch艂onie InTechFun

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materia艂贸w i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i techniki sensorowych (InTechFun) 鈥 projekt dedykowany nanoelektronice i sektorowi nanofotonicznemu.
Projekt kluczowy InTechFun realizowany jest w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka 2007聽鈥斅2013, Dzia艂anie 1.3 Wsparcie projekt贸w B+R na rzecz przedsi臋biorc贸w realizowanych przez jednostki naukowe, Poddzia艂anie 1.3.1 Projekty rozwojowe, w sektorze Technologii informacyjnych i telekomunikacyjnych i Optoelektroniki. Zako艅czenie projektu ma nast膮pi膰 do ko艅ca 2013 r. Jego warto艣膰 szacuje si臋 na 18.829.069 PLN, przy dofinansowaniu unijnym na poziomie 15.672.121 PLN.

Koordynatorem projektu jest Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie. Liderem Projektu jest Pani Prof. dr hab. in偶. Anna Piotrowska 鈥 kierownik Zak艂adu Mikro i Nanotechnologii P贸艂przewodnik贸w Szerokoprzerwowych ITE.
W projekcie InTechFun uczestniczy 6 uczelni i Instytut (obejmuj膮cych 14 zespo艂贸w badawczych):
聽 1. Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie;
聽 2. Instytut Fizyki PAN w Warszawie;
聽 3. Politechnika Warszawska;
聽 4. Politechnika 艢l膮ska w Gliwicach;
聽 5. Politechnika 艁贸dzka;
聽 6. Wojskowa Akademia Techniczna w Warszawie.

Zadaniem InTechFun jest stworzenie nowej infrastruktury badawczo-rozwojowej, podstaw dla rozwoju infrastruktury produkcyjnej w niewielkiej skali oraz zainicjowanie wytwarzania i wprowadzania polskich produkt贸w na 艣wiatowy rynek technologii spo艂ecze艅stwa informacyjnego.

Celem naukowym projektu jest opracowanie innowacyjnych rozwi膮za艅 technologicznych umo偶liwiaj膮cych realizacj臋 nowych przyrz膮d贸w p贸艂przewodnikowych, wytwarzanych w oparciu o p贸艂przewodniki szerokoprzerwowe, ze szczeg贸lnym uwzgl臋dnieniem struktur, w kt贸rych elementy czynne wykorzystywa膰 b臋d膮 najbardziej perspektywiczne uk艂ady materia艂owe:
- ZnO i p贸艂przewodniki pokrewne, w tym domieszkowane jonami magnetycznymi;
- GaN i materia艂y pokrewne, w tym domieszkowane jonami magnetycznymi oraz
- SiC.

W centrum projektu b臋d膮 indywidualne procesy technologiczne wytwarzania i kszta艂towania cienkowarstwowych struktur p贸艂przewodnikowych, metalicznych i dielektrycznych, opracowane w postaci uniwersalnych modu艂贸w technologicznych, a nast臋pnie integrowane w pe艂ny cykl technologiczny wytwarzania struktur przyrz膮dowych, tak by w ko艅cowym etapie projektu zademonstrowa膰 ich funkcjonalno艣膰 w modelowych przyrz膮dach elektronicznych i optoelektronicznych oraz wybranych sensorach.
reklama
reklama
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
December 12 2018 02:03 V11.10.8-1