reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© nyul-dreamstime.com Przemysł elektroniczny | 09 marca 2012

Klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych

Dr Marcin Sarzyński z Instytutu Wysokich Ciśnień (IWC PAN) pracuje nad techniką wytwarzania diod, która pozwoli uniknąć dużych strat materiału, który jest obecnie bardzo drogi. Z programu LIDER Narodowego Centrum Badań i Rozwoju uzyskał na badania ponad 990 tys. PLN.

Fioletowe diody laserowe zbudowane w oparciu o azotek galu (GaN) są stosowane w urządzeniach BluRay. Wkrótce niebieskie i zielone diody oparte o ten półprzewodnik będą stosowane w laserowych projektorach telewizyjnych i kinowych. Projekt dr Marcina Sarzyńskiego z IWC PAN nosi tytuł "Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych". Jak wyjaśnił naukowiec fioletowe diody laserowe zbudowane w oparciu o azotek galu wytwarzane są na krystalicznych podłożach GaN, których powierzchnia musi być nachylona pod małym, ściśle określonym kątem do płaszczyzn krystalograficznych. - Uzyskuje się to przez odpowiednie polerowanie kryształu podłożowego, lecz występują przy tym duże straty materiału, który jest obecnie bardzo drogi. Pracuję nad techniką, która pozwoli uniknąć polerowania całego podłoża i dużych strat materiału - tłumaczy. Odpowiednie nachylenie powierzchni będzie wykonywane jedynie w niewielkich obszarach podłoża. Poza tym, od kąta nachylenia zależy długość fali (kolor) wytwarzanego przez laser światła. Stwarza to nowe możliwości, takie jak wytworzenie diod laserowych dających światło o dwóch długościach fali jednocześnie. Diody takie mogą posłużyć do produkcji projektorów dających obraz trójwymiarowy. Skąd pomysł na taką właśnie technikę? Jak wyjaśnia laureat konkursu LIDER, w klasycznej technologii półprzewodników takich jak krzem czy arsenek galu dąży się do tego, aby własności warstw i struktur były jednorodne i stałe na całej powierzchni podłoża. W przypadku azotku galu od początku bardzo liczyły się techniki przestrzennego kształtowania podłoży i struktur. Pierwszą z nich była technika Epitaxial Lateral Overgrowth. - Różne techniki które będą używane w moim projekcie są wynikiem dyskusji ze współpracownikami z IWC PAN, na temat - w jaki sposób kształtowanie przestrzenne może poprawić własności laserów. Wyniki badań będą wykorzystane przez firmę Top-GaN, spin-off IWC PAN, założoną w 2001 roku - mówi dr Sarzyński. Źródło: PAP – Nauka w Polsce
reklama
reklama
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
October 11 2019 15:09 V14.5.0-1