reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© MIT Przemysł elektroniczny | 06 lipca 2011

Szybka litografia elektronowa o rozdzielczości 9 nm

MIT Research Laboratory of Electronic zaprezentowało szybką litografię elektronową, która pozwala na uzyskanie rozdzielczości 9 nanometrów. Do tej pory najwyższa rozdzielczość jaką uzyskiwano wynosiła 25 nm.

Litografia 'polega na pokryciu plastra krzemu światłoczułym materiałem tzw. fotorezystem i naświetleniu go według odpowiedniego wzorca'. Dotychczas chcąc uzyskać jak najwyższą rozdzielczość stosowano światło o coraz mniejszej długości fali, pracując nad wykorzystaniem ekstremalnie dalekiego ultrafioletu. Przyspieszenie procesu można uzyskać wtedy, jeżeli spowodujemy, że na fotorezyst będzie padało mniej elektronów. Magistraci Vitor Manfrinato, Lin Lee Cheong i Donald Winston we współpracy z profesorami Karlem Berggrenem i Henym Smithem, zastosowali dwie techniki, które pozwoliły im na zmniejszenie energii strumienia elektronów: - użyli cieńszej warstwy fotorezystu, co zmniejszyło rozpraszanie elektronów; - wykorzystali roztwór soli kuchennej do utwardzenia tych regionów fotorezystu, które otrzymały nieco większą dawkę elektronów. Badacze z MIT mają nadzieję, że w niedalekiej przyszłości metoda ta, będzie wykorzystywana w masowej produkcji układów scalonych. Źródło: KopalniaWiedzy.pl – Mariusz Błoński / MIT
reklama
reklama
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
October 11 2019 15:09 V14.5.0-1