reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© MIT Przemys艂 elektroniczny | 06 lipca 2011

Szybka litografia elektronowa o rozdzielczo艣ci 9 nm

MIT Research Laboratory of Electronic zaprezentowa艂o szybk膮 litografi臋 elektronow膮, kt贸ra pozwala na uzyskanie rozdzielczo艣ci 9 nanometr贸w. Do tej pory najwy偶sza rozdzielczo艣膰 jak膮 uzyskiwano wynosi艂a 25 nm.
Litografia 'polega na pokryciu plastra krzemu 艣wiat艂oczu艂ym materia艂em tzw. fotorezystem i na艣wietleniu go wed艂ug odpowiedniego wzorca'. Dotychczas chc膮c uzyska膰 jak najwy偶sz膮 rozdzielczo艣膰 stosowano 艣wiat艂o o coraz mniejszej d艂ugo艣ci fali, pracuj膮c nad wykorzystaniem ekstremalnie dalekiego ultrafioletu. Przyspieszenie procesu mo偶na uzyska膰 wtedy, je偶eli spowodujemy, 偶e na fotorezyst b臋dzie pada艂o mniej elektron贸w. Magistraci Vitor Manfrinato, Lin Lee Cheong i Donald Winston we wsp贸艂pracy z profesorami Karlem Berggrenem i Henym Smithem, zastosowali dwie techniki, kt贸re pozwoli艂y im na zmniejszenie energii strumienia elektron贸w: - u偶yli cie艅szej warstwy fotorezystu, co zmniejszy艂o rozpraszanie elektron贸w; - wykorzystali roztw贸r soli kuchennej do utwardzenia tych region贸w fotorezystu, kt贸re otrzyma艂y nieco wi臋ksz膮 dawk臋 elektron贸w. Badacze z MIT maj膮 nadziej臋, 偶e w niedalekiej przysz艂o艣ci metoda ta, b臋dzie wykorzystywana w masowej produkcji uk艂ad贸w scalonych. 殴r贸d艂o: KopalniaWiedzy.pl 鈥 Mariusz B艂o艅ski / MIT
reklama
reklama
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 22 2019 14:26 V12.2.6-1