Przemysł elektroniczny |
3 mln zł wsparcia na matryce ultrafioletowych diod laserowych TopGaN
TopGaN, zajmujący się krystalizacją kryształów GaN otrzymał 3.041.949 zł dofinansowania od Unii Europejskiej na realizację projektu „Matryce ultrafioletowych diod laserowych”.
W ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka 2007 - 2013 działanie 1.4 Wsparcie projektów celowych osi priorytetowej 1 Badanie i rozwój nowoczesnych technologii oraz działanie 4.1 Wsparcie wdrożeń prac B+R osi priorytetowej 4 Inwestycje w innowacyjne przedsięwzięcia, TopGaN otrzymał dofinansowanie od Unii Europejskiej na realizację projektu „Matryce ultrafioletowych diod laserowych”.
Całkowity koszt projektu to 3.041.948,71 zł.
Realizacja pierwszego etapu projektu zakończy się 31 stycznia 2011 r. Drugi etap projektu potrwa od 1 lutego do 31 października 2011 r.
