reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Przemysł elektroniczny | 25 listopada 2010

3 mln zł wsparcia na matryce ultrafioletowych diod laserowych TopGaN

TopGaN, zajmujący się krystalizacją kryształów GaN otrzymał 3.041.949 zł dofinansowania od Unii Europejskiej na realizację projektu „Matryce ultrafioletowych diod laserowych”.
W ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka 2007 - 2013 działanie 1.4 Wsparcie projektów celowych osi priorytetowej 1 Badanie i rozwój nowoczesnych technologii oraz działanie 4.1 Wsparcie wdrożeń prac B+R osi priorytetowej 4 Inwestycje w innowacyjne przedsięwzięcia, TopGaN otrzymał dofinansowanie od Unii Europejskiej na realizację projektu „Matryce ultrafioletowych diod laserowych”.

Całkowity koszt projektu to 3.041.948,71 zł
.

Realizacja pierwszego etapu projektu zakończy się 31 stycznia 2011 r. Drugi etap projektu potrwa od 1 lutego do 31 października 2011 r.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
October 15 2018 23:56 V11.6.0-1