reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Przemys艂 elektroniczny | 25 listopada 2010

3 mln z艂 wsparcia na matryce ultrafioletowych diod laserowych TopGaN

TopGaN, zajmuj膮cy si臋 krystalizacj膮 kryszta艂贸w GaN otrzyma艂 3.041.949 z艂 dofinansowania od Unii Europejskiej na realizacj臋 projektu 鈥濵atryce ultrafioletowych diod laserowych”.
W ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka 2007 - 2013 dzia艂anie 1.4 Wsparcie projekt贸w celowych osi priorytetowej 1 Badanie i rozw贸j nowoczesnych technologii oraz dzia艂anie 4.1 Wsparcie wdro偶e艅 prac B+R osi priorytetowej 4 Inwestycje w innowacyjne przedsi臋wzi臋cia, TopGaN otrzyma艂 dofinansowanie od Unii Europejskiej na realizacj臋 projektu 鈥濵atryce ultrafioletowych diod laserowych”.

Ca艂kowity koszt projektu to 3.041.948,71 z艂
.

Realizacja pierwszego etapu projektu zako艅czy si臋 31 stycznia 2011 r. Drugi etap projektu potrwa od 1 lutego do 31 pa藕dziernika 2011 r.
reklama
reklama
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
January 11 2019 20:28 V11.10.27-1