Aixtron otwiera centrum innowacji
Aixtron oficjalnie otworzył nowe Centrum Innowacji w siedzibie głównej firmy w miejscowości Herzogenrath (Niemcy). Nowy kompleks R&D z cleanroomem o powierzchni 1000 metrów kwadratowych kładzie podwaliny pod przejście na wafle o rozmiarze 300 mm w branży półprzewodników złożonych.
„Dzięki nowemu cleanroomowi o powierzchni 300 mm w Centrum Innowacji, będziemy dalej rozszerzać naszą wiodącą pozycję na rynku technologicznym. Mamy już pierwsze prototypowe systemy GaN 300 mm, które zostały również zintegrowane z liniami pilotażowymi u kilku klientów” - powiedział dr Felix Grawert, prezes i dyrektor generalny Aixtron.
Firma rozpoczęła budowę nowego kompleksu - w który zainwestuje około 100 milionów euro - w listopadzie ubiegłego roku. Obiekt został zaprojektowany z myślą o ważnym przejściu na rozmiar wafla 300 mm dla azotku galu (GaN) i innych złożonych zastosowań półprzewodnikowych.
Systemy materiałów GaN są wykorzystywane w coraz większej liczbie zastosowań elektroniki mocy ze względu na ich właściwości. Urządzenia półprzewodnikowe oparte na GaN zwiększają wydajność ładowarek w elektronice użytkowej, umożliwiają wydajną konwersję energii w dziedzinie energii odnawialnej i zapewniają energooszczędne zasilanie serwerów i centrów danych. Pomaga to również na przykład w zastosowaniach sztucznej inteligencji, które obecnie szybko się rozprzestrzeniają.
Aby sprostać temu zapotrzebowaniu, Aixtron przyspiesza rozwój technologii osadzania 300 mm. Większy rozmiar wafla zapewnia klientom wzrost produktywności o 2,25 razy większą powierzchnię wafla niż obecne wafle 200 mm. Co więcej, klienci mogą po raz pierwszy wykorzystać swoje 300-milimetrowe fabryki i sprzęt do przetwarzania w dziedzinie półprzewodników złożonych. Sprawi to, że produkcja urządzeń półprzewodnikowych GaN będzie nie tylko bardziej opłacalna, ale także zaoferuje możliwości zwiększenia wydajności technologii w przyszłości.
„Dzięki technologii wafli 300 mm po raz pierwszy wprowadzamy półprzewodniki złożone do głównego nurtu produkcji półprzewodników. Centrum Innowacji jest głównym elementem naszej strategii, zapewniając przestrzeń i możliwości dla technologii nowej generacji. Krok w kierunku 300 mm w półprzewodnikach złożonych jest kamieniem milowym, który ma uruchomić liczne możliwości rozwoju dla branży w nadchodzących latach” - dodał prof. dr Michael Heuken, wiceprezes ds. zaawansowanych technologii w Aixtron.