Samsung otwiera centrum R&D w Giheung
Firma Samsung Electronics ogłosiła uruchomienie swojego najnowocześniejszego kompleksu badawczo-rozwojowy (R&D) NRD-K
Nowy kompleks o powierzchni 109 000 m kwadratowych ma zagwarantować postęp w badaniach i rozwoju produktów w całym sektorze półprzewodników, w tym w zakresie pamięci, półprzewodników systemowych i odlewnictwa. Dzięki centrum R&D „NRD-K” Samsung zamierza wzmocnić swoją pozycję w technologiach pamięci, ze szczególnym uwzględnieniem HBM.
Budowa NRD-K rozpoczęła się w 2022 roku. Sekcja kompleksu „NRD-K Ph.1” rozpocznie działalność w połowie 2025 roku i będzie skupiać się na pamięciach DRAM nowej generacji, w tym technologii High Bandwidth Memory (HBM).
Nowo otwarty kompleks R&D docelowo, ma być kluczową bazą badawczą oraz dla rozwoju pamięci, systemów LSI i półprzewodników odlewniczych. Dzięki zaawansowanej infrastrukturze badania i weryfikacja na poziomie produktu będą mogły odbywać się pod jednym dachem.
„NRD-K zwiększy tempo naszego rozwoju, umożliwiając firmie stworzenie cyklu spiralnego w celu przyspieszenia podstawowych badań nad technologią nowej generacji i masową produkcją. Położymy podwaliny pod nowy skok naprzód w Giheung, gdzie rozpoczęła się 50-letnia historia półprzewodników Samsung Electronics, i stworzymy nową przyszłość na następne 100 lat” - powiedział Young Hyun Jun, wiceprezes i szef działu Device Solutions Division w Samsung Electronics.
NRD-K jest wyposażony w litografię High NA w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV) i nowy sprzęt do osadzania materiałów, mający na celu przyspieszenie rozwoju półprzewodników pamięci nowej generacji, takich jak 3D DRAM i V-NAND z ponad 1000 warstw. Ponadto planowane jest również zadokowanie infrastruktury do łączenia płytek z innowacyjnymi możliwościami łączenia płytek.
„W czasach, gdy znaczenie partnerstw korzystnych dla obu stron jest większe niż kiedykolwiek, Applied Materials jest zaangażowane w przyspieszanie innowacji poprzez głęboką współpracę z Samsung Electronics, pracując razem, aby napędzać nową falę wzrostu w branży półprzewodników” - powiedział Park Gwang-Sun, szef Applied Materials Korea.
Kampus firmy Samsung w Giheung, położony na południe od Seulu, jest miejscem narodzin pierwszej na świecie 64-megabitowej (Mb) pamięci DRAM w 1992 roku, wyznaczając początek wiodącej pozycji firmy w branży półprzewodników.
