SK hynix opracowuje pierwszy na świecie układ DRAM 6. generacji
Nowa pamięć DRAM może pomóc centrom danych obniżyć koszty energii elektrycznej o 30% dzięki innowacjom technologicznym w projektowaniu w czasie, gdy boom na sztuczną inteligencję zwiększa zużycie energii.
Południowokoreański producent układów scalonych SK hynix opracował pierwszy w branży 16-gigabajtowy układ DDR5 wykorzystujący 10-nanometrową technologię szóstej generacji.
Nowa pamięć DRAM pomoże centrom danych obniżyć koszty energii elektrycznej o 30% dzięki innowacjom technologicznym w projektowaniu w czasie, gdy boom na sztuczną inteligencję zwiększa zużycie energii, podały media.
Szybkość działania i wydajność energetyczna chipu zostały zwiększone odpowiednio o 11% i ponad 9%, podała firma.
„Stopień trudności zaawansowania procesu kurczenia się technologii DRAM w zakresie 10 nm wzrósł na przestrzeni generacji technologicznych, ale staliśmy się pierwszymi w branży, którzy pokonali ograniczenia technologiczne, podążając za naszą wiodącą w branży technologią 1b lub węzłem 10 nm piątej generacji” – powiedziała firma w oświadczeniu.
Chip będzie gotowy do masowej produkcji w ciągu roku, a jego masowa wysyłka rozpocznie się w przyszłym roku.
„Jesteśmy zaangażowani w dostarczanie klientom zróżnicowanych wartości poprzez zastosowanie technologii 1c wyposażonej w najlepszą wydajność i konkurencyjność kosztową w naszych głównych produktach nowej generacji” – powiedział Kim Jong-hwan, szef działu rozwoju pamięci DRAM w SK hynix.
Uważa się, że SK hynix, drugi co do wielkości producent układów pamięci na świecie po Samsungu, pracuje nad znacznie ulepszoną pamięcią 3D DRAM, ale nowa technologia jest wciąż odległa o kilka lat. Do tego czasu firma ulepsza swoją pamięć DDR5 DRAM klasy 10 nm.
