Rywalizacja o SiC i wciąż zmieniający się krajobraz rynku
Biznes półprzewodników złożonych w ostatnich latach kwitnie w najlepsze. Duży wpływ miał na to wzrost popytu na dynamicznie rozwijających się rynkach, jak EV i energia odnawialna. Jednak z racji, że firmy wciąż walczą o ugruntowanie swojego miejsca w tym sektorze, można zaobserwować również wzrost aktywności w zakresie fuzji i przejęć.
Należy to podkreślić: w ciągu ostatnich kilku lat rynek był świadkiem znacznego wzrostu liczby transakcji fuzji i przejęć. TrendForce wskazuje, że w latach 2006-2017 byliśmy świadkami tylko jednej transakcji tego typu na dwa lata, ale od 2018 r. ich liczba diametralnie wzrosła – do sześciu rocznie, co oznacza, że przekroczono historyczne rekordy.
Spośród 31 przeprowadzonych od 2006 roku fuzji i przejęć związanych z SiC i GaN, 21 z nich miało bezpośredni związek z SiC. Wynika to głównie z faktu, że po ponad 20 latach rozwoju SiC, udało się go masować produkować na potrzeby rynku, co znalazło szczególne przełożenie w sektorze motoryzacyjnym, gdzie SiC stał się technologią głównego nurtu.
Jak pokazuje częstotliwość fuzji i przejęć, amerykańscy i europejscy potentaci branżowi, w tym Wolfspeed, Onsemi, II-VI, STMicro i Infineon, zaczęli w ostatnich latach przyspieszać integrację pionową.
W samych Stanach Zjednoczonych przeprowadzono 12 fuzji i przejęć, przy czym tylko cztery z nich dokonano przed 2018 rokiem, a Wolfspeed był zaangażowany w trzy z nich. Aby sprostać wymaganiom rynku, również Onsemi, II-VI i Macom przeprowadziły różne transakcje w ciągu ostatnich trzech lat, kładąc nacisk na integrację pionową SiC.
Jeśli chodzi o Europę, to tu od 2006 roku dokonano łącznie osiem transakcji fuzji i przejęć. Wszystkie z nich jednak miały miejsce w 2018 roku, a nawet później. Kluczowymi uczestnikami tych transakcji były firmy ST i Infineon, które aby utrzymać przewagę konkurencyjną w sektorze urządzeń zasilających SiC, postawiły na strategiczne zdobywanie wiedzy technologicznej.
Jak wskazuje TrendForce i ilustrują to dane, dominujące firmy w tym sektorze są przede wszystkim odpowiedzialne za wysoką częstotliwość fuzji i przejęć w USA i Europie, które stale zmieniają krajobraz rynku.
Należy również zwrócić uwagę na fuzje i przejęcia wśród firm zajmujących się sprzętem półprzewodnikowym. Niedawne przejęcia LPE i Epiluvac przez ASM i Veeco pokazują, że producenci sprzętu również dostrzegli ogromny potencjał sektora SiC i zwiększają swoje inwestycje.
TrendForce, bazując na najnowszych danych, zauważa, że ogólny rynek urządzeń zasilających SiC będzie rósł w tempie 41,4% rocznie, osiągając 2,28 mld USD do 2023 r. oraz 5,33 mld USD do 2026 r., przy 35% rocznej stopie wzrostu.
Jednak obecny boom rynkowy niesie ze sobą również nowy problem: brak podaży. Pomimo podejmowanych przez korporacje prób zwiększenia produkcji, jedną z głównych barier dla ekspansji branży jest brak materiału podłoża SiC.
Region | Firma dokonująca transakcji | Year | Firma docelowa | Gałąź działalności |
USA | Wolfspeed | 2006 | Intrinsic Semiconductor | Podłoża SiC |
2016 | WATER | Moduły zasilające SiC | ||
2018 | Infineon (RF Division) | Urządzenia GaN-on-SiC RF | ||
On Semi | 2021 | GTAT | Wlewki SiC | |
II-VI | 2020 | INNOViON Corporation | Implantacja jonów | |
2020 | Ascatron AB | Epitaksja SiC | ||
Qorvo | 2021 | UnitedSiC | Projektowanie urządzeń zasilających SiC | |
Transphom | 2021 | AFSW | Produkcja płytek GaN | |
MACOM | 2023 | OMMIC SAS | Produkcja GaN i GaAs | |
Veeco | 2023 | Epiluvac AB | Urządzenia epitaksjalne | |
Navitas | 2022 | GeneSiC | Projektowanie urządzeń SiC | |
Littelfuse | 2018 | Monolith Semiconductor | Projektowanie urządzeń zasilających SiC | |
Europa | ST | 2019 | Norstel AB | Produkcja płytek SiC |
2020 | Exagan | Projektowanie urządzeń zasilających GaN | ||
Infineon | 2018 | Siltectra GmbH | Cięcie wafli SiC na zimno | |
2023 | GaN Systems | Rozwiązanie do konwersji mocy GaN | ||
Soitec | 2019 | EpiGaN | Epitaksja GaN | |
2021 | NOVASiC | Polerowanie płytek SiC | ||
BelGan | 2022 | On Semi (Factory in Belgium) | Produkcja płytek GaN | |
ASM | 2022 | LPE | Urządzenia do epitaksji SiC | |
Japonia | Showa Denko | 2008 | ESICAT Japan LLP | Epitaksja SiC |
2017 | Nippon Steel Sumitomo Metals (SiC manufacturing business) | Wzrost kryształów SiC metodą PVT | ||
Rohm | 2009 | SiCrystal | Podłoża SiC | |
Kyocera | 2020 | SLD Laser | Źródło lasera GaN | |
Advantest | 2022 | CREATES | Testowanie półprzewodników | |
Korea Południowa | SK Group | 2019 | DuPont (SiC Division) | Podłoża SiC |
2021 | Yes Power | Projektowanie i wytwarzanie SiC | ||
LX Semicon | 2021 | LG Innotek (some equipment and patents) | Projektowanie urządzeń zasilających SiC | |
IV Works | 2022 | Saint-Gobain (GaN substrate business) | Podłoża GaN | |
Chiny | China Resources Micro | 2022 | Runxin Micro | Projektowanie i produkcja urządzeń GaN |
Jingfang Technology | 2023 | VisIC (51.7% stake) | Projektowanie urządzeń zasilających GaN |