Samsung mocno zwiększył produkcję NAND flash
Południowokoreański producent półprzewodników zakończył niedawno rozbudowę swojej drugiej fabryki pamięci NAND flash w Xian w Chinach i jest gotowy do produkcji na pełną skalę.
Samsung w ubiegłym miesiącu zakończył drugą fazę inwestycji w Xian, natomiast pierwszy etap został zrealizowany pod koniec ubiegłego roku – raportuje Business Korea.
Od początku marca zakład pracuje na pełnych obrotach. Fabryka jest w stanie przetwarzać 130 000 wafli 300 mm miesięcznie, co oznacza również, że całkowita wydajność produkcyjna pamięci flash NAND w ośrodku Samsunga w Xian wzrosła do 250 000 wafli miesięcznie.
Moce produkcyjne fabryk Xian stanowią ponad 40% całkowitej produkcji pamięci flash NAND południowokoreańskiej firmy, a jak donosi lokalna gazeta Shanxi Daily, wydajność kompleksu w Xian odpowiada za ponad 10% globalnych mocy produkcyjnych tych układów.
Fabryka NAND flash w Xian Samsunga jest jedyną zagraniczną fabryką pamięci firmy Samsung Electronics. Budowa pierwszego zakładu rozpoczęła się we wrześniu 2012 roku, a produkcja ruszyła w maju 2014 roku. Samsung Electronics początkowo planował przeznaczyć 7 mld USD na pierwszy obiekt, ale ostatecznie łączna kwota inwestycji wzrosła do ponad 10,87 mld USD.
Prace konstrukcyjne przy drugiej fabryce rozpoczęły się w 2017 roku. Według pierwotnego planu firma miała przeznaczyć 7 mld USD na ten cel, ale w 2019 roku zainwestowano dodatkowych 8 mld USD w rozbudowę zakładu i modernizację sprzętu produkcyjnego. W rezultacie firma Samsung Electronics wydała łącznie 25,87 mld USD na kompleks produkcyjny pamięci NAND flash w Xian.
Analitycy branżowi oceniają, że dzięki ukończeniu najnowszej inwestycji udział Samsung Electronics w rynku pamięci NAND flash wzrośnie z 35 do 40%.
