reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Ferroelectric Memory GmbH Przemysł elektroniczny | 24 listopada 2020

Bosch i SK Hynix inwestują w pamięciowy start-up

Robert Bosch Venture Capital GmbH (RBVC), ramię venture capital Grupy Bosch, zainwestował w Ferroelectric Memory GmbH (FMC) z siedzibą w Dreźnie w ramach rundy serii B o wartości 20 mln USD.

Runda finansowania serii B prowadzona była przez M Ventures, korporacyjny oddział firmy Merck, oraz imec.xpand wraz z RBVC, SK Hynix i TEL Ventures. Firma FMC opracowuje całkowicie nową technologię pamięci dla układów wbudowanych i samodzielnych, zapewniającą bardzo niski pobór mocy i wysoką wydajność. Co więcej, użycie standardowej technologii CMOS zapewnia łatwość integracji z istniejącymi procesami produkcyjnymi – czytamy w komunikacie. – Wbudowane aplikacje sztucznej inteligencji dla zastosowań motoryzacyjnych i przemysłu 4.0 wymagają ogromnej pamięci do przetwarzania gigantycznych ilości danych – mówi dyrektor zarządzający, dr Ingo Ramesohl. – Dzięki niemal zerowemu zużyciu energii i szybkiemu dostępowi, technologia FMC ma niezrównany potencjał poprawy wnioskowania i treningu rozwiązań edge – dodaje Ramesohl. Obecnie sięgamy już limitów możliwości udoskonalania technologii pamięci. Tymczasem potrzeby większej gęstości, mniejszych opóźnień i mniejszego zużycia energii napędzają przyjmowanie przez rynek pojawiających rozwiązań się pamięci trwałej (NVM Non-Volatile Memory). Firma badawcza Yole spodziewa się, że rynek wschodzących technologii NVM szybko się rozwinie i osiągnie poziom 6,2 mld USD do 2025 roku. Biorąc pod uwagę wpływ coraz większego udziału sztucznej inteligencji w rozwiązaniach brzegowych, decydującym kryterium staje się zużycie energii. – Rozwój sztucznej inteligencji, internetu rzeczy (IoT), big data i 5G wymaga zaawansowanych pamięci nowej generacji, które zapewniają dużą szybkość i bardzo niskie zużycie energii, a jednocześnie są kompatybilne z najnowocześniejszymi procesami logicznymi CMOS, gwarantującymi niższe koszty produkcji – mówi Ali Pourkeramati, CEO FMC. FMC ma już na koncie znaczące postępy w opracowywaniu technologii pamięci nieulotnej, obiecując lepszą wydajność w porównaniu z najnowocześniejszymi rozwiązaniami. Obecnie FMC ściśle współpracuje z liderami z branży półprzewodników, a także z firmami foundry w USA, Europie i Azji. Finansowanie przyspieszy komercjalizację technologii ferroelektrycznych tranzystorów polowych (FeFET) i kondensatorów (FeCAP) firmy FMC na szybko rozwijających się rynkach, takich jak sztuczna inteligencja, internet rzeczy i centra danych – czytamy dalej w informacji prasowej. Opatentowana technologia firmy FMC ułatwia przekształcenie tlenku hafnu (HfO2) w ferroelektryczną komórkę pamięci. Innymi słowy, każdy standardowy tranzystor i kondensator CMOS można zamienić w ogniwo NVM: FeFET lub FeCAP. Technologia pamięci FMC wykorzystuje ferroelektryczne właściwości krystalicznego HfO2. HfO2 już w swojej amorficznej postaci jest materiałem izolacyjnym bramek tranzystorów CMOS: od planarnych po FinFET-y.
reklama
reklama
January 26 2021 10:57 V18.15.16-2