reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© SAIT Przemysł elektroniczny | 07 lipca 2020

Nowy materiał z laboratorium Samsunga może zrewolucjonizować branżę chipów

Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) poinformował o odkryciu nowego materiału zwanego amorficznym azotkiem boru (a-BN), który może przyspieszyć opracowanie nowej generacji półprzewodników.

Badacze SAIT od jakiegoś czasu pracują nad materiałami dwuwymiarowymi (2D), czyli materiałami krystalicznymi z pojedynczą warstwą atomów, zajmując się w szczególności grafenem. Instytut chwali się tu przełomowymi wynikami osiągniętymi w tej dziedzinie, takimi jak opracowanie nowego tranzystora grafenenowego, a także nowatorskiej metody wytwarzania wielkoformatowych monokrystalicznych podłoży półprzewodnikowych. SAIT zajmuje się też pracami nad przyspieszeniem komercjalizacji grafenu. Naukowcy właśnie znaleźli następny niezwykle interesujący materiał, czyli amorficzny azotek boru, który może znaleźć zastosowania na przykład w układach pamięci. Chociaż a-BN, podobnie jak biały grafen, zawiera atomy boru i azotu, to struktura tych materiałów jest różna, podobnie jak właściwości. Stała dielektryczna a-BN jest bowiem bardzo niska i wynosi 1,78, dlatego materiał może być stosowany jako izolator między połączeniami, minimalizując zakłócenia elektryczne. Co więcej, udało się już wyprodukować wafle krzemowe z a-BN w temperaturze zaledwie 400 stopni C. Dlatego wydaje się, że amorficzny azotek boru może być używany przy produkcji pamięci DRAM i NAND, zwłaszcza w następnych generacjach układów do dużych instalacji serwerowych – informuje SAIT. - Ostatnio rośnie zainteresowanie materiałami 2D i pochodnymi. Jednak nadal istnieje wiele wyzwań związanych z ich zastosowaniem w istniejących procesach półprzewodnikowych – komentuje Seongjun Park, wiceprezes i dyrektor laboratorium materiałów nieorganicznych SAIT.
reklama
reklama
October 20 2020 19:22 V18.11.10-1