reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Pixabay
Przemysł elektroniczny |

GlobalFoundries i NTU Singapore: 120 mln USD partnerstwo w obszarze innowacyjnych pamięci

Nanyang Technological University w Singapurze (NTU Singapore) oraz GlobalFoundries będą wspólnie rozwijać technologie pamięci wbudowanych następnych generacji przeznaczonych do inteligentnych systemów. Do porozumienia dołączył także National Research Foundation Singapore (NRF).

Partnerzy będą pracować nad rezystywnymi pamięciami RAM (resistive random access memory - ReRAM), układy te mają być produkowane na waflach 300 mm. Wśród istotnych zalet, którymi charakteryzują się układy ReRAM w porównaniu do pamięci konwencjonalnych, należy wymienić zdecydowanie szybsze tempo odczytu i zapisu danych, mniejszy pobór mocy, co jest kluczowe dla aplikacji internetu rzeczy o ultraniskim poborze mocy. Jak podkreślają GF oraz NTU w komunikacie, ReRAM ma też potencjał by osiągnąć wyższą gęstość pamięci, umożliwiającą magazynowanie większej ilości danych w mniejszej objętości, a także lepszą wydajność odczytu i zapisu danych, lepszą wydajność energetyczną oraz niższe koszty produkcji. - To nowe partnerstwo pomiędzy NTU a GF opiera się na istniejącej współpracy pomiędzy naszymi organizacjami w obszarze spintroniki, czyli badań spinu elektronu oraz związanego z nim momentu magnetycznego, niezwykle przydatnych w kontekście przyszłych aplikacji pamięciowych. Zarówno NTU jak i GF Singapore są członkami założycielami Singapore Spintronics Consortium (SG-SPIN), które stworzyło podwaliny pod innowacyjne technologie oparte na spinie elektronowym do zastosowań w sensorach, pamięciach i aplikacjach logicznych, torując drogę partnerstwu badawczemu ReRAM. SG-SPIN powstał, by wspierać współpracę pomiędzy nauką a przemysłem w obszarze badań i zastosowań spintroniki – powiedział KC Ang, starszy wiceprezes i dyrektor generalny GlobalFoundries Singapore.

reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
March 15 2024 14:25 V22.4.5-1